提高出光效率的LED制备方法技术

本发明专利技术公开了一种提高出光效率的LED制备方法，涉及半导体发光器件的制备工艺。该方法的目的是提高出光效率和产品良率。其技术方案包括：在蓝宝石衬底上外延薄膜后，蒸镀透明导电层，并进行合金处理，生长SiO2保护层；将粘胶涂到SiO2保护层上，并与临时支撑基板一起固化；进行激光剥离蓝宝石衬底；对剥离后的外延薄膜的N面进行粗化处理；在外延薄膜的N面制作透明的、可以固化的粘接材料层，并对该粘接材料层进行固化；制备反射层，与上述粘接材料层一起进行高温固化；在粗化表面上面的层上制作槽内N电极；蒸发邦定金属层，并与导电导热的永久性基板进行共晶键合；除掉临时支撑基板、SiO2保护层，在透明导电层上制作P电极。

【技术实现步骤摘要】
提高出光效率的LED制备方法
本专利技术涉及半导体发光器件的制备工艺。
技术介绍
蓝宝石衬底作为氮化镓基LED外延生长的主要衬底，其导电性和散热性都比较差，采用激光剥离技术将蓝宝石衬底去除后，将LED作成垂直结构，可以有效解决散热和出光问题。通常的做法是采用氮化镓N面出光，寻找与P面相匹配的反射镜以及保护层金属。但利用激光剥离蓝宝石衬底，目前成品率低一直是产业化氮化镓基LED薄膜芯片的瓶颈。由于蓝宝石，氮化镓膜和支撑衬底，三者的热膨胀系数的差别产生的应力，或者反射金属与氮化镓P面的黏附性差，都是造成剥离过程中氮化镓膜破裂或受到损伤的重要原因。同时，由于激光剥离中的高能量冲击，很难使高反射率金属与氮化镓P面形成良好的接触和反射效果。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种提高出光效率的LED制备方法，该方法的目的是提高出光效率和产品良率。为解决上述问题，本专利技术提出一种提高出光效率的LED制备方法，其包括：步骤a在蓝宝石衬底上通过先后长好缓冲层、n-GaN、发光层、p-GaN外延薄膜后，蒸镀透明导电层，并进行合金处理，生长SiO2保护层；步骤b将粘胶涂到SiO2保护层上，并与本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种提高出光效率的ＬＥＤ制备方法，其包括：在蓝宝石衬底上通过先后长好缓冲层、ｎ－ＧａＮ、发光层、ｐ－ＧａＮ外延薄膜后，蒸镀透明导电层，并进行合金处理，生长ＳｉＯ２保护层；将粘胶涂到ＳｉＯ２保护层上，并与临时支撑基板一起固化；进行激光剥离蓝宝石衬底；对剥离后的外延薄膜的Ｎ面进行粗化处理；在外延薄膜的Ｎ面制作透明的、可以固化的粘接材料层，并对该粘接材料层进行固化；制备反射层，与上述粘接材料层一起进行高温固化；在粗化表面上面的层上形成电极状电极槽，在电极槽内制作Ｎ电极；蒸发邦定金属层，并与导电导热的永久性基板进行共晶键合；除掉临时支撑基板和其上的粘胶，刻蚀ＳｉＯ２保护层，在透明导电层上制作Ｐ电极...

【技术特征摘要】
1.一种提高出光效率的LED制备方法，其包括：步骤a在蓝宝石衬底上通过先后长好缓冲层、n-GaN、发光层、p-GaN外延薄膜后，蒸镀透明导电层，并进行合金处理，生长SiO2保护层；步骤b将粘胶涂到SiO2保护层上，并与临时支撑基板一起粘结后固化；步骤c进行激光剥离蓝宝石衬底；步骤d对剥离后的外延薄膜的N面进行粗化处理；步骤e在外延薄膜的N面制作透明的、可以固化的粘接材料层，并对该粘接材料层进行固化；步骤f制备反射层，与上述粘接材料层一起进行高温固化；步骤g在粗化表面上面的层上形成电极状电极槽，在电极槽内制作N电极；步骤h蒸发粘结金属层，并与导电导热的永久性基板进行共晶键合；步骤i除掉临时支撑基板和其上的粘胶，刻蚀SiO2保护层，在透明导电层上制作P电极。2.根据权利要求1所述的提高出光效率的LED制备方法，其特征在于：所述粘接材料层为耐高温、耐酸耐碱物质，耐高温温度范围为300～600℃，对可见光波段完全透明。3.根据权利要求2所述的提高出光效率的LED制备方法，其特征在于：所述粘接材料层为水玻璃材质。4.根据权利要求2所述的提高出光效率的LED制备方法，其特征在于：所述粘接材料层的厚度为1.5-3微米。5.根据权利要求1所述的提高出光效率的LED制备方法，其特征在于：所述粘接材料层低温固化后，直接蒸发所述反射层，然后进行高温固化，做好电极图形光刻后，先用硝酸和氨水的混合液、或用双氧水和氨水的混合液腐蚀A...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈栋，赵汉民，周印华，
申请(专利权)人：晶能光电江西有限公司，
类型：发明
国别省市：36