二极管酸洗脱水工艺及其设备制造技术

本发明专利技术公开了二极管酸洗脱水工艺，包括如下工序：首先将二极管组件送入化学酸洗段，分别进行3次酸洗，4次冲水，将冲洗后的二极管组件送入至水超声清洗段进行超声清洗；结束后，将二级管组件送入至烘干段，烘干后，将二极管组件送入至冷却段，将冷却好的二极管组件依次送入至1号异丙醇缸与2号异丙醇缸内进行清洗，结束二极管酸洗脱水工序，二极管酸洗脱水设备，包括依次连接的化学酸洗段、水超声清洗段、烘干段、冷却段、1号异丙醇缸和2号异丙醇缸，所述的烘干段设置有紫外灯和温度开关，所述的紫外灯与温度开关相连接；所述的冷却段设置有风扇和风速调节开关，所述的风扇与风速调节开关相连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及二极管领域，特别的是涉及二极管酸洗脱水工艺及其设备。
技术介绍
目前，二极管组件经过化学试剂的腐蚀后，需要通过酸洗机水超声段的纯水清洗， 才能出酸洗机，而二极管组建在出了酸洗机水超声段后的材料，需要在每条生产线上配置1 名操作人员，这名操作人员拿出二级管组件，将其放置在甩干机内，进行初步甩干，甩干后的二极管组件需要操作人员再将其拿出，放置在1号异丙醇缸(1#IPA缸)内，待后面材料出甩干机后，再将1号异丙醇缸(1#IPA缸)内材料取出，再放入2号异丙醇缸(2#IPA缸) 内，进行清洗脱水，待1号异丙醇缸(1#IPA缸)内的二极管组件清洗好后，取出2号异丙醇缸(2#IPA缸)送往下一工序，此种工艺大大的增加了人力劳动和原材周转过程，同时，二极管组件在甩干机操作过程中，由于是瞬间高速转动二极管材料，来实现甩掉二极管表面的水迹，瞬间高速转动过程中极易造成部分品种二极管断裂，降低成品率，对产品质量有很大影响。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种减少工序步骤，提高效率的二极管酸洗脱水工艺及其设备。为实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案二极管酸洗脱水工艺，包括如下工序首先将二极管组件送入化学酸洗段，分别进行3次酸洗，4次冲水；将冲洗后的二极管组件送入至水超声清洗段进行超声清洗；结束后， 将二级管组件送入至烘干段，调整烘干段的温度在40 70°C范围内，烘干120 180S ；烘干后，将二极管组件送入至冷却段，控制冷却段的温度在15 30°C范围内，将二极管组件冷却低于30°C，停止冷却；将冷却好的二极管组件依次送入至1号异丙醇缸与2号异丙醇缸内进行清洗，结束二极管酸洗脱水工序。所述的3次酸洗分别为1次酸洗、2次酸洗、3次酸洗；所述的1次酸洗为硝酸、氢氟酸、冰乙酸及硫酸的混合液，按照体积比计，所述的混合液的配比为硝酸氢氟酸冰乙酸硫酸为9 9 12 4 ；所述的2次酸洗为磷酸、双氧水、纯水的混合液，按照体积比计，所述的混合液的配比为磷酸双氧水纯水为1:1:3;所述的3次酸洗 为氨水、双氧水、纯水的混合液，按照体积比计，所述的混合液的配比为氨水双氧水纯水为20 10 1。所述的水超声清洗段，其超声电流控制在1.5 2A范围内，纯水电阻率控制在 ^ IOMΩ · CM 范围。所述的1号异丙醇电阻率控制在> IOMΩ · CM范围，所述的2号异丙醇电阻率控制在彡20ΜΩ · CM范围。如上述的二极管酸洗脱水工艺，其设备包括依次连接的化学酸洗段、水超声清洗段、烘干段、冷却段、1号异丙醇缸和2号异丙醇缸，所述的烘干段设置有紫外灯和温度开关，所述的紫外灯与温度开关相连接；所述的冷却段设置有风扇和风速调节开关，所述的风扇与风速调节开关相连接。 所述的烘干段，其长度为1 2m。所述的冷却段，其长度为1米。所述的1号异丙醇缸与2号异丙醇缸的总长度为2 2. 5米。上述方案中，本专利技术采用了 3次酸洗，由于1次酸洗腐蚀二极管组件的晶粒周边棱角，去除晶粒周边漏电杂质，2次酸洗使得经一次酸洗后的二极管组件，其晶粒表面形成一层保护层，保护晶粒在1次酸洗后不会形成二次污染，3次酸洗其主要作用是加强二极管组件的管芯的硬特性，去除晶粒表面的酸离子和金属离子，综合碱性，3次酸洗以除表面酸性， 为二极管组件的合格率提供了保证。同时，本专利技术烘干段采用紫外灯进行烘干，由于采用了紫外灯作为烘干设备，利用紫外灯的强度来道道处理二极管表面的水迹，摒除了现有技术中常用的甩干机，避免了甩干造成的二极管组件成品率的损失，减少了成本的付出。另夕卜，采用本专利技术的工艺，从多层工艺更改为一体工艺，现有操作方法每条生产线需要员工一人，操作非常繁琐，更改后的一体机，每人可同时工作1-4条生产线，大大降低操作人员，节约人力成本的同时并挺高生产效率。本专利技术的有益效果在于节省了人力成本，减少了工作人员的工作量，同时提高了生产效率，增加二极管组件成品的合格率。附图说明图1为本专利技术的结构示意中1为化学酸洗段，2为水超声清洗段，3为烘干段，4为冷却段，51为1#IPA，52 为 2#IPA。具体实施例方式下面通过具体实施例，对本专利技术做详细的说明。实施例1二极管酸洗脱水工艺，包括如下工序首先将二极管组件送入化学酸洗段，分别进行3次酸洗，4次冲水；将冲洗后的二极管组件送入至水超声清洗段进行超声清洗；结束后， 将二级管组件送入至烘干段，调整烘干段的温度在40°C范围内，烘干120S ；烘干后，将二极管组件送入至冷却段，控制冷却段的温度在15°C范围内，将二极管组件冷却低于30°C，停止冷却；将冷却好的二极管组件依次送入至1号异丙醇缸与2号异丙醇缸内进行清洗，结束二极管酸洗脱水工序。所述的3次酸洗分别为1次酸洗、2次酸洗、3次酸洗；所述的1次酸洗为硝酸、氢氟酸、冰乙酸及硫酸的混合液，按照体积比计，所述的混合液的配比为硝酸氢氟酸冰乙酸硫酸为9 9 12 4 ；所述的2次酸洗为磷酸、双氧水、纯水的混合液，按照体积比计，所述的混合液的配比为磷酸双氧水纯水为1:1:3;所述的3次酸洗为氨水、双氧水、纯水的混合液，按照体积比计，所述的混合液的配比为氨水双氧水纯水为20 10 1。所述的水超声清洗段，其超声电流控制在1. 5A范围内，纯水电阻率控制在 IOMΩ · CM 范围。 所述的1号异丙醇电阻率控制在IOM Ω · CM范围，所述的2号异丙醇电阻率控制在20ΜΩ · CM范围。如上述二极管酸洗脱水设备，包括依次连接的化学酸洗段1、水超声清洗段2、烘干段3、冷却段4、1#ΙΡΑ 51和2#ΙΡΑ 52，所述的烘干段3设置有紫外灯和温度开关，所述的紫外灯与温度开关相连接；所述的冷却段4设置有风扇和风速调节开关，所述的风扇与风速调节开关相连接。上述的烘干段3长度为2m，冷却段4长度为1米，1#IPA51与2#IPA52的总长度为2. 5 米。权利要求1.二极管酸洗脱水工艺，其特征在于，包括如下工序首先将二极管组件送入化学酸洗段，分别进行3次酸洗，4次冲水，所述的酸洗和冲水交替进行，将冲洗后的二极管组件送入至水超声清洗段进行超声清洗；结束后，将二级管组件送入至烘干段，调整烘干段的温度在40 70°C范围内，烘干120 180S ；烘干后，将二极管组件送入至冷却段，控制冷却段的温度在15 30°C范围内，将二极管组件冷却低于30°C，停止冷却；将冷却好的二极管组件依次送入至1号异丙醇缸与2号异丙醇缸内进行清洗，结束二极管酸洗脱水工序。2.根据权利要求1所述的二极管酸洗脱水工艺，其特征在于所述的3次酸洗分别为1 次酸洗、2次酸洗、3次酸洗；所述的1次酸洗为硝酸、氢氟酸、冰乙酸及硫酸的混合液，按照体积比计，所述的混合液的配比为硝酸氢氟酸冰乙酸硫酸为9 9 12 4 ；所述的2次酸洗为磷酸、双氧水、纯水的混合液，按照体积比计，所述的混合液的配比为磷酸双氧水纯水为1:1:3;所述的3次酸洗为氨水、双氧水、纯水的混合液，按照体积比计，所述的混合液的配比为氨水双氧水纯水为20 10 1。3.根据权利要求1所述的二极管酸洗脱水工艺，其特征在于所述的水超声清洗段，其超声电流控制在1.5 2A范围内，纯水电阻率控制在> IOMΩ · CM范围。4.根据权本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．二极管酸洗脱水工艺，其特征在于，包括如下工序：首先将二极管组件送入化学酸洗段，分别进行３次酸洗，４次冲水，所述的酸洗和冲水交替进行，将冲洗后的二极管组件送入至水超声清洗段进行超声清洗；结束后，将二级管组件送入至烘干段，调整烘干段的温度在４０～７０℃范围内，烘干１２０～１８０Ｓ；烘干后，将二极管组件送入至冷却段，控制冷却段的温度在１５～３０℃范围内，将二极管组件冷却低于３０℃，停止冷却；将冷却好的二极管组件依次送入至１号异丙醇缸与２号异丙醇缸内进行清洗，结束二极管酸洗脱水工序。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐谦，李伟，戴亮，庄娟梅，
申请(专利权)人：常州佳讯光电产业发展有限公司，
类型：发明
国别省市：32