光掩膜的制作方法技术

一种光掩膜的制作方法，首先提供石英基板，在所述石英基板上依次形成二元硅化钼膜、铬金属膜以及光刻胶层；图案化所述光刻胶层；以所述光刻胶层为保护层，刻蚀所述铬金属膜至露出所述二元硅化钼膜；去除所述光刻胶层；以铬金属膜作为保护层，刻蚀所述二元硅化钼膜至露出所述石英基板；量测硅化钼膜图案化后的铬金属膜图形的关键尺寸，并以所述铬金属膜为保护层对二元硅化钼膜进行补偿刻蚀；去除所述铬金属膜。此方法可在所述硅化钼膜刻蚀后根据硅化钼膜图形的关键尺寸与目标值的差异对硅化钼膜再次进行合适的刻蚀修复，避免了因硅化钼膜的关键尺寸未达标而直接报废光掩膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件的制造领域，特别涉及一种。
技术介绍
在半导体器件的制程中，有一个步骤为光刻。光刻的本质就是将电路结构复制到以后要进行刻蚀步骤及离子注入步骤的晶圆上。电路结构首先以1 4或1 5的比例将图形形式制作在名为光掩膜的石英基板上，光源通过该光掩膜将图形转移到晶圆的光刻胶层上，进行显影后，用后续的刻蚀步骤将图形成像在晶圆底层薄膜上，或者用后续的离子注入步骤完成晶圆底层薄膜的图形区域可选择的掺杂。在光刻步骤中，光源通过光掩膜将图形复制到晶圆衬底的光刻胶层。因此，就需要在光掩膜上制作图形。目前主要的光掩膜类型有二元式光掩膜和衰减式相位偏移光掩膜两种类型。以下分别进行说明。二元式光掩膜的制作。二元式光掩膜也可以称为二元光掩膜，制作二元式光掩膜的过程为提供一片石英基板，在此石英基板上形成一层铬金属层，然后在铬金属层上涂布一层光刻胶，根据所需光掩膜图形，对光刻胶层进行曝光和显影，在光刻胶层形成光掩膜图形；以在光刻胶层形成的光掩膜图形做保护，采用干法刻蚀或湿法刻蚀铬金属膜，在铬金属膜上形成光掩膜图形； 然后采用湿法清洗光刻胶层，在石英基板的铬金属膜上形成了所需光掩膜图形；本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种光掩膜的制作方法，首先提供石英基板，在所述石英基板上依次形成二元硅化钼膜、铬金属膜以及光刻胶层；图案化所述光刻胶层；以所述光刻胶层为保护层，刻蚀所述铬金属膜至露出所述二元硅化钼膜；去除所述光刻胶层；以铬金属膜作为保护层，刻蚀所述二元硅化钼膜至露出所述石英基板；量测硅化钼膜图案化后的铬金属膜图形的关键尺寸，并以所述铬金属膜为保护层对二元硅化钼膜进行补偿刻蚀；去除所述铬金属膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨志刚，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31