掩模坯体及转印掩模的制造方法技术

本发明专利技术提供制作半导体设计规则(DRAM hp65nm以下)的转印用掩 模时，能够防止抗蚀剂图案的消失，能够防止图案缺陷的掩模坯体、及掩 模。其特征在于，该掩模坯体具备用于在基板上成膜的掩模图案的薄膜、 和在该薄膜的上方成膜的抗蚀剂膜，通过插入有与所述薄膜和所述抗蚀剂 膜接合的附着层，在进行使所述抗蚀剂膜形成为图案的显影时，防止形成 为图案的抗蚀剂膜的倒塌。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在半导体设备或显示设备(显示面板)等的制造中使用的 掩模坯体及转印掩模等。
技术介绍
近年来，随着半导体设备中的电路图案的微细化，正在寻求半导体设计规贝U (semiconductor design rule)中的DRAM半间距(hp) 65nm以下 的光刻法中使用的掩模坯体、掩模。通常，利用缩小投影曝光，进行微细加工半导体设备时的光刻法，因 此，形成于转印用掩模的图案尺寸形成为在半导体基板上转印的图案尺寸 的四倍左右。但是，在上述半导体设计规则(DRAMhp65nm以下)中的 光刻法中，转印于半导体基板的电路图案的尺寸与曝光光的波长相比颇 小，因此，使用转印有将电路图案直接放大至4倍左右的转印图案的转印 用掩模，进行縮小投影曝光的情况下，由于曝光光的干涉等影响，不能按 照转印图案的形状转印于半导体基板的抗蚀剂膜上。因此，作为超析像掩模，使用通过光接近效果校正(Optical Proximity Effect Correction: OPC)，适用了转印特性变差的光接近效果的校正技术 的OPC掩模或通过在线状等遮光图案的中心部设置相位转换器的结构(掩 模增强器)，增强掩模图案的遮光性，提高线图案的析像度的相位转换器 掩模(增强器掩模)等。例如，需要在OPC掩模上形成电路图案的1/2以 下尺寸的OPC图案(例如，小于lOOnm的线宽度的辅助杆(7〉只卜/《 一)或锤杆(八y^—、:y K)等)。另外，需要增强器掩模(工y八y 廿一77夕)中的遮光图案或相位转换器的线宽度也需要非常细的线宽度 的图案。还有，增强器掩模是如下所述的掩模，§卩以使从遮光图案的周围绕 入遮光图案的内侧的光的强度、和通过相位转换器的光的强度正好均衡的方式，调节图案宽度和相位转换器宽度的情况下，通过了掩模增强器的光 的振幅强度具有在与掩模增强器的中心对应的位置成为0的分布，透过了 掩模增强器的光的强度(振幅强度的二次幂)也具有在与掩模增强器的中 心对应的位置成为0的分布。然而，使用清晰度高的带有化学增幅型抗蚀剂掩模坯体，制作上述半导体设计规则(DRAMhp65nm以下)的转印用掩模的情况下，在形成图 案状抗蚀剂膜的过程中，由于密接性不充分，导致在显影处理中抗蚀剂图 案消失，发生图案缺陷发生的问题。
技术实现思路
因此，本专利技术是用于解决上述问题而做成的，其目的在于提供在制作 半导体设计规则(DRAMhp65nm以下)的转印用掩模时，能够防止抗蚀 剂图案的消失，能够防止图案缺陷的掩模坯体、及转印掩模。 本专利技术具有以下的构成。 (构成1) 一种掩模坯体，其具备用于形成在基板上成膜的掩模图案 的薄膜、和在该薄膜的上方成膜的抗蚀剂膜，其特征在于，通过插入有与所述薄膜和所述抗蚀剂膜接合的附着层，在进行使所述 抗蚀剂膜形成为图案的显影时，防止形成为图案的抗蚀剂膜的倒塌。 (构成2)根据构成l所述的掩模坯体，其特征在于， 所述附着层是相对于显影时使用的显影液具有耐性(耐性)的树脂膜。(构成3)根据构成1或2所述的掩模坯体，其特征在于， 形成所述抗蚀剂膜的一侧的所述附着层表面被进行了清洁化处理。 (构成4)根据构成1 3中任一项所述的掩模坯体，其特征在于，所述附着层构成为通过所述薄膜的图案形成处理被除去。 (构成5)根据构成1 4中任一项所述的掩模坯体，其特征在于，所述薄膜为金属膜。(构成6)根据构成1 5中任一项所述的掩模坯体，其特征在于， 所述薄膜为含有硅的含硅膜。(构成7) —种转印掩模的制造方法，其特征在于， 使构成1 6中任一项所述的掩模坯体中的所述薄膜形成为图案，在所述基板上形成转印图案。(构成8) —种掩模坯体，其特征在于， 其在形成有薄膜的基板上具有抗蚀剂膜，用于防止由所述抗蚀剂膜形成的抗蚀剂图案的倒塌的中间层夹在所 述薄膜和所述抗蚀剂膜之间。(构成9)根据构成8所述的掩模坯体，其特征在于，在所述抗蚀剂膜形成的抗蚀剂图案中包含线宽度小于100nm的图案。(构成IO)根据构成8或9所述的掩模坯体，其特征在于， 在所述抗蚀剂膜形成的抗蚀剂图案中包含纵横尺寸比为3以上的图案。(构成11)根据构成8 构成10中任一项所述的掩模坯体，其特征在于，所述中间层对用于在所述抗蚀剂膜形成抗蚀剂图案的显影液呈不溶性。(构成12)根据构成8 构成11中任一项所述的掩模坯体，其特征在于，将所述抗蚀剂图案作为掩模，对所述薄膜进行图案形成处理时，所述 中间层会形成图案。(构成13)根据构成8 构成12中任一项所述的掩模坯体，其特征在于，在从所述基板剥离处理抗蚀剂图案时，所述中间层会被剥离。 (构成14)根据构成8 构成13中任一项所述的掩模坯体，其特征在于，所述薄膜是含有铬的膜或含有硅的膜。(构成15) —种转印掩模的制造方法，其特征在于， 准备具有用于形成掩模图案的薄膜、至少被覆该薄膜的形成掩模图案 的区域的中间层、和在该中间层上形成的抗蚀剂图案的掩模坯体，将所述抗蚀剂图案作为掩模，使所述中间层和所述薄膜依次形成为图案。(构成16)根据构成15所述的转印掩模的制造方法，其特征在于，6对所述中间层和所述薄膜进行图案形成处理后，依次剥离所述抗蚀剂 图案和所述中间层。以下，详细说明本专利技术。本专利技术的掩模坯体，其具有用于形成在基板上成膜的掩模图案的薄 膜、和在该薄膜的上方成膜的抗蚀剂膜，其特征在于，通过插入有与所述薄膜和所述抗蚀剂膜接合的附着层，在进行使所述 抗蚀剂膜形成为图案的显影时，防止形成为图案的抗蚀剂膜的倒塌(构成 1)。在构成l的专利技术中，插入有与薄膜和抗蚀剂膜接合的附着层，因此，在制作半导体设计规则(DRAMhp65nm以下)的转印用掩模的情况下， 在使抗蚀剂膜形成图案时的显影时，能够防止形成图案的抗蚀剂膜的倒 塌。从而，能够提供防止抗蚀剂图案倒塌引起的图案缺陷的掩模坯体。在构成2的专利技术中，附着层设为相对于显影时使用的显影液具有耐性 的树脂膜，由此进一步提高与抗蚀剂膜的密接性。在构成3的专利技术中，形成抗蚀剂膜的一侧的附着层表面被进行了清洁 化处理，由此能够进一步提高与抗蚀剂膜的密接性，并且，能够防止阻碍 抗蚀剂膜的功能的物质从抗蚀剂膜的底部向抗蚀剂膜内移动。尤其，在抗 蚀剂为化学增幅型抗蚀剂的情况下，能够阻止自抗蚀剂膜的底部的阻碍化 学增幅功能的物质的向抗蚀剂膜的移动，因此，能够提高图案精度。在本专利技术中，掩模坯体还包括光掩模坯体、相位转换掩模坯体、反射 型掩模坯体、打印机用转印板基板。另外，掩模坯体包括带有抗蚀剂膜的 掩模坯体、抗蚀剂膜形成前的掩模坯体。抗蚀剂膜形成前的掩模坯体还包 括在用于形成掩模图案的薄膜上形成有本专利技术的附着层的掩模坯体。相位 转换掩模坯体包括在网板膜(half tone)上形成铬系材料等的遮光性膜的 情况。还有，在这种情况下，用于形成掩模图案的薄膜是指网板膜或遮光 性膜。另外，在反射型掩模坯体的情况下，包括在多层反射膜上或多层反 射膜上设置的缓冲层上形成作为转印图案的钽系材料或铬系材料的吸收 体膜的结构，在打印机用转印板的情况下，包括在作为转印板的基材上形 成络系材料等转印图案形成用薄膜的结构。掩模包括光掩模、相位转换掩 模、反射型掩模、打印机用转印板。掩模中包括标度线。在本专利技术中，作为用于形成掩模图案的薄膜，包括遮蔽本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩模坯体，其具有用于形成在基板上成膜的掩模图案的薄膜和在该薄膜的上方成膜的抗蚀剂膜，其特征在于，　通过插入有与所述薄膜和所述抗蚀剂膜接合的附着层，在进行使所述抗蚀剂膜形成为图案的显影时，防止形成为图案的抗蚀剂膜的倒塌。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2006.9.15 JP 251486/20061.一种掩模坯体，其具有用于形成在基板上成膜的掩模图案的薄膜和在该薄膜的上方成膜的抗蚀剂膜，其特征在于，通过插入有与所述薄膜和所述抗蚀剂膜接合的附着层，在进行使所述抗蚀剂膜形成为图案的显影时，防止形成为图案的抗蚀剂膜的倒塌。2. 根据权利要求1所述的掩模坯体，其特征在于，所述附着层是相对于显影时使用的显影液具有耐性的树脂膜。3. 根据权利要求1或2所述的掩模坯体，其特征在于， 形成所述抗蚀剂膜的一侧的所述附着层表面被进行了清洁化处理。4. 根据权利要求1 3中任一项所述的掩模坯体，其特征在于， 所述附着层构成为通过所述薄膜的图案形成处理被除去。5. 根据权利要求1 4中任一项所述的掩模坯体，其特征在于， 所述薄膜为金属膜。6. 根据权利要求1 5中任一项所述的掩模坯体，其特征在于， 所述薄膜为含有硅的含硅膜。7. —种转印掩模的制造方法，其特征在于，使权利要求1 6中任一项所述的掩模坯体中的所述薄膜形成为图案， 在所述基板上形成转印图案。8. —种掩模坯体，其特征在于， 其在形成有薄膜的基板上具有抗蚀剂膜，用于防止由所述抗蚀剂膜形成的抗蚀剂图案的倒塌的中间层夹在所 述薄膜和所述抗蚀剂膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：桥本雅广，
申请(专利权)人：HOYA株式会社，
类型：发明
国别省市：JP