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本发明提供制作半导体设计规则(DRAM hp65nm以下)的转印用掩 模时，能够防止抗蚀剂图案的消失，能够防止图案缺陷的掩模坯体、及掩 模。其特征在于，该掩模坯体具备用于在基板上成膜的掩模图案的薄膜、 和在该薄膜的上方成膜的抗蚀剂膜，通过插...
该专利属于HOYA株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过HOYA株式会社授权不得商用。

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