作为用于高压集成电路的编程元件的集成晶体管和反熔丝制造技术

一种半导体元器件，其在P型基底中包括N型阱区。MOSFET的源极区与所述阱区的边界横向分隔开，所述阱区包括所述MOSFET的漏极。所述MOSFET的绝缘栅极从所述源极横向延伸到至少刚越过所述阱区的边界。多晶硅层(其形成电容性反熔丝的第一板)与所述阱区的一个区域(其形成所述反熔丝的第二板)绝缘。通过在所述第一和第二电容性板两端施加足以损坏所述第二介电层的至少一部分的电压来编程所述反熔丝，从而使所述多晶硅层至所述HVFET的漏极短路。本摘要被提供用来允许检索人员或其他读者快速确定本技术公开文本的主题。

【技术实现步骤摘要】

本公开文本总体涉及用于制作带有可编程电气连接的高压集成电路的半导体工艺。
技术介绍
一种常见的集成电路(IC)元器件是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。 MOSFET是一种如下的场效应元器件，其包括源极区、漏极区，在源极区和漏极区之间延伸的沟道区，以及提供在沟道区上方的栅极。栅极包括布置在沟道区上方的导电栅极结构。导电栅极通常通过一个薄的氧化物层与沟道区绝缘。在半导体领域中，高压场效应晶体管(HVFET)也是公知的。许多HVFET采用包括扩展的漏极区(也称作漂移区)的元器件结构，所述扩展的漏极区支持或“截止”所施加的高压(例如，150V或更大)——当该元器件在“关断”状态时。高压集成电路(HVIC)工艺中的HVFET通常成型为横向元器件结构，其中源极和漏极在半导体芯片的顶部表面上。沟道区和漂移区将源极与漏极分隔开。沟道区上方的栅极用于导通或关断HVFET，漂移区支持漏极电压。沟道和漏极之间的漂移区的长度确定了该元器件可支持的最大电压。具有不同耐压能力的元器件可通过修改漂移长度而被集成在同一 HVIC工艺中。在本申请的上下文中，中压元器件指向50V至150V的范围内的电压本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体元器件，包括：第一导电类型的基底；第二导电类型的第一阱区，其被布置在所述基底中；所述第一导电类型的第二阱区，其被布置在基底中，邻近于所述第一阱区；所述第二导电类型的第一区，其被布置在所述第二阱区中，一个沟道区将所述第一区与下述边界横向分隔开，所述边界为所述第一阱区与所述第二阱区邻接处，所述第一区包括ＭＯＳＦＥＴ的源极；第一导电层，其通过第一介电层与所述基底的第一区域绝缘，所述第一介电层在沟道区上方从所述第一区横向延伸到至少刚越过所述边界，处于所述第一阱区的第一区域上方，所述第一导电层包括所述ＭＯＳＦＥＴ的栅极，以及所述第一阱区包括所述ＭＯＳＦＥＴ的漂移区；第二导电层，其通过第二介...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：S·班纳吉，M·H·曼雷，
申请(专利权)人：电力集成公司，
类型：发明
国别省市：US