半导体器件结终端结构制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件结终端结构，其具有较低的表面电场和提升的击穿电压。其包括：浮空双层掺杂区与浮空沟槽区由内向外交替紧密排列，构成横向的多层结构，并向外无间断地延伸至沟道截止区。该浮空双层掺杂区由重掺杂浓度的第一导电类型区和适当浓度的第二导电类型区构成，其第一导电类型区由器件上表面向下延伸至一定深度，第二导电类型区位于第一导电类型区之下。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体功率晶体管或开关，特别是涉及到采用沟槽技术的半导体器件 的结终端结构。
技术介绍
随着便携式手持设备的广泛使用和节能环保理念逐渐深入人心，电能的有效变换 和利用越来越得到重视和研究。作为电源管理领域的核心器件，功率半导体器件广泛地应 用于手机充电器、笔记本电脑适配器、锂离子电池保护、CPU电源和LED背光等。传统的结终端结构一般采用场限环(Field Ring)和场板(Field Plate)，如图1 所示。该结构利用场限环和场板引入感生电荷，能够避免电场向有源区主结集中，并降 低P/N结在Si/SiA表面的电场强度，有效地提升结终端的击穿电压。但是，传统结终端结构具有以下缺点1.该结构对许多参数极为敏感，包括场限环的结深、场限环的侧向扩散长度、Si/ SiO2界面电荷等工艺参数，以及场限环-场限环的间距、场限环-场板的间距、场板的长度 等版图设计参数，而这些参数往往又相互关联，错综复杂。因此，传统的场限环或场板结构 设计需要做大量的工程试验，增加了工程成本和延缓了新品上市的时间。2.该结构占据较大的芯片面积，增加了器件的单位成本。3.器件额定击穿电压越低，场限本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体器件结构，该结构包括：一个或多个有源器件区域；由重掺杂浓度的第一导电类型区和轻掺杂的第二导电类型区构成的双层掺杂区，所述的第一导电类型区由器件上表面向下延伸至第一深度位置，第二导电类型区由第一深度位置向下延伸至第二深度位置。由轻掺杂的第二导电类型区构成的单层掺杂区，所述的第二导电类型区由器件上表面向下延伸至第二深度位置。所述的双层掺杂区或单层掺杂区，与沟槽区由内向外交替紧密排列，构成无间断的横向多层结构，包围着所述的有源器件区域；所述的横向多层结构的最外围为所述的双层掺杂区或单层掺杂区，其通过介质层与沟道截止区进行电压耦合。所述的双层掺杂区、单层掺杂区和沟槽区，电位均浮空。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蒲奎，
申请(专利权)人：成都方舟微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：90