本发明公开的LDO应用电路，包括与LDO部件搭配的N沟道耗尽型MOSFET管或N沟道JFET管，N沟道耗尽型MOSFET管或N沟道JFET管串联于LDO部件的输入回路，N沟道耗尽型MOSFET管或N沟道JFET管的栅极通过稳压单元连接L...

本发明公开一种TBU电路，包括N沟道耗尽型MOSFET或N沟道JFET、P沟道耗尽型MOSFET以及限流元件，N沟道耗尽型MOSFET或N沟道JFET的源极连接P沟道耗尽型MOSFET的源极，N沟道耗尽型MOSFET或N沟道JFET的漏...

本发明涉及一种应用于开关电源的启动电路，包括高压耗尽型MOS器件M1、增强型MOS器件M2和二极管D1；所述增强型MOS器件M2的漏极与所述耗尽型MOS器件M1的栅极连接，所述二极管D1的正极与所述增强型MOS器件M2的栅极连接，所述二...

本实用新型公开了控制电压的器件、供电电路及电路系统，其中，一器件，包括耗尽型MOSFET核，所述MOSFET核包括漏极D、栅极G、源极S；所述漏极D构成器件上用于与供电第一端连接的第一供电引脚a，栅极G构成器件上用于与供电第二端及负载第...

本发明公开了一种功率集成二极管芯片结构及其制作方法，该结构包括从下至上依次层叠的下金属层、衬底、外延层、阱区、多晶硅层和正面金属层；位于外延层上部的阱区导电类型与外延层相反；多晶硅层与阱区通过氧化层进行隔离，多晶硅层分为N型区域和P型区...

本发明公开了电压控制方法、器件，供电电路及电路系统与应用，其中，限制输出电压的方法，将N沟道耗尽型MOSFET接入电路，所述耗尽型MOSFET的源极S电位高于栅极G的电位，在源极S和栅极G之间接入负载。限制电压的器件，发明包括耗尽型MO...

本发明公开了一种动态电阻及芯片及电路，所述动态电阻包括：一个N沟道耗尽型器件和一个P沟道耗尽型器件，N沟道耗尽型器件和P沟道耗尽型器件前后串联，N沟道耗尽型器件的源极与P沟道耗尽型器件的源极相连，N沟道耗尽型器件的栅极与P沟道耗尽型器件...

本实用新型公开了一种功率缓冲二极管结构芯片，包括从下至上依次层叠的下金属层、衬底和外延层，外延层上形成有深扩散区域，深扩散区域上形成有阱区，所述阱区上形成有浅层扩散区域，阱区上形成有沟道电阻区域，沟道电阻区域与深扩散区域和浅层扩散区域相...

本发明公开了一种功率缓冲二极管芯片结构及其制作方法，该结构包括从下至上依次层叠的下金属层、衬底和外延层，外延层上形成有深扩散区域，深扩散区域上形成有阱区，所述阱区上形成有浅层扩散区域，阱区上形成有沟道电阻区域，沟道电阻区域与深扩散区域和...

本发明提供了高阈值电压功率MOS芯片、器件及提高阈值电压的方法。所述芯片包括由一个以上元胞构成的功率MOS芯片有源区、打线区，所述有源区包括源极、多晶硅栅、漏极，所述打线区包括分别用于源极、多晶硅栅进行打线的源极打线区、多晶硅栅打线区；...

本发明公开了一种低功率应用的IGBT功率器件及其制造方法，所述方法包括：对硅衬底的正面进行半导体杂质注入或扩散操作；对进行半导体杂质注入或扩散操作后的正面进行腐蚀处理；对硅衬底的背面进行P型离子注入，形成P区域；对硅衬底的背面设置沟槽；...

本发明公开了一种集成ESD保护的耗尽型功率MOS器件及其制备方法，所述方法包括：场氧化层生长，环区光刻和环区屏蔽氧化层生长；环区推结和环区氧化层再生长；有源区光刻；阱区屏蔽氧化层生长；ESD多晶硅淀积，ESD离子注入；ESD多晶硅光刻和...

本发明公布了一种赝超晶格功率半导体器件结构及其实现方法，其能够有效地防止器件寄生晶体管的开启，提高器件非钳位电感性开关应用中的坚固性和可靠性。器件所在晶圆采用第一种半导体基体元素，通过薄介质隔离层离子注入和接触孔离子注入，引入适当能量和...

本发明公开了一种半导体器件结终端结构，其具有较低的表面电场和提升的击穿电压。其包括：浮空双层掺杂区与浮空沟槽区由内向外交替紧密排列，构成横向的多层结构，并向外无间断地延伸至沟道截止区。该浮空双层掺杂区由重掺杂浓度的第一导电类型区和适当浓...

在超高密度沟槽型功率器件设计中实现分阱（Ｓｐｌｉｔ　Ｗｅｌｌ）结构的新型方法，有效地解决了分阱结构２１与超高密度设计之间的矛盾。该方法利用杂质补偿原理，透过接触孔２２进行高能量Ｎ型离子注入１８和快速退火，在阱区７中央的底部形成分阱结构２...