一种动态电阻及芯片及电路制造技术

本发明专利技术公开了一种动态电阻及芯片及电路，所述动态电阻包括：一个N沟道耗尽型器件和一个P沟道耗尽型器件，N沟道耗尽型器件和P沟道耗尽型器件前后串联，N沟道耗尽型器件的源极与P沟道耗尽型器件的源极相连，N沟道耗尽型器件的栅极与P沟道耗尽型器件的漏极相连，P沟道耗尽型器件的栅极与N沟道耗尽型器件的漏极相连，N沟道耗尽型器件的漏极为动态电阻电流输入端，P沟道耗尽型器件的漏极为动态电阻电流输出端；具有电路损耗小，对浪涌电流完全隔离；与采用PTC热敏电阻相比较，具有响应快，电隔离更彻底，电路发热小等优点。

A Kind of Dynamic Resistance and Chip and Circuit

The invention discloses a dynamic resistance and a chip and circuit. The dynamic resistance includes a N-channel depletion device and a P-channel depletion device, a N-channel depletion device and a P-channel depletion device in series, a N-channel depletion device's source pole is connected with a P-channel depletion device's source pole, and a N-channel depletion device's gate is connected with a P-channel depletion device's drain pole. Connected, the gate of P-channel depletion device is connected with the drain of N-channel depletion device, the drain of N-channel depletion device is the input of dynamic resistance current, and the drain of P-channel depletion device is the output of dynamic resistance current; it has less circuit loss and completely isolates surge current; compared with PTC thermistor, it has faster response, more complete electrical isolation and circuit generation. Small heat and other advantages.

【技术实现步骤摘要】
一种动态电阻及芯片及电路
本专利技术涉及电子信息领域，具体地，涉及一种动态电阻及芯片及电路。
技术介绍
在传统的过流保护电路中常采用PTC热敏电阻器，将PTC热敏串联于被保护的电路中，PTC在电路电流增大时，由于其自身消耗的功率增大，使得其自身温度上升，由此使得其电阻值迅速增大，从而形成对浪涌电流的抑制。但使用PTC器件，其自身温度上升并使电阻值增大所需要的响应时间较长，为毫秒级，在如此长的时间中，浪涌电流有可能已经对电路形成损坏，并且由于器件发热严重，为电路带来可靠性方面的风险。另一种方式为采用耗尽型MOS器件在电路中用作限流保护，通常会在耗尽型MOS器件的源极串联一个固定电阻，如图1所示。耗尽型MOS器件的阈值电压及固定电阻阻值大小共同决定了电路最大输出电流，由于在固定电阻上所产生的电压降约等于耗尽型MOS器件的阈值电压，根据U/R＝I可以得到输出的最大电流值。此电路中，固定电阻的阻值越大，限流保护的效果越明显，但更大的电阻值会持续造成较大的电路损耗。
技术实现思路
为解决现有技术的不足，本专利技术提供一种动态电阻及芯片及电路，所述动态电阻包含了一个N沟道耗尽型器件和一个P沟道耗尽型本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种动态电阻，其特征在于，所述动态电阻包括：一个N沟道耗尽型器件和一个P沟道耗尽型器件，N沟道耗尽型器件和P沟道耗尽型器件前后串联，N沟道耗尽型器件的源极与P沟道耗尽型器件的源极相连，N沟道耗尽型器件的栅极与P沟道耗尽型器件的漏极相连，P沟道耗尽型器件的栅极与N沟道耗尽型器件的漏极相连，N沟道耗尽型器件的漏极为动态电阻电流输入端，P沟道耗尽型器件的漏极为动态电阻电流输出端。

【技术特征摘要】
1.一种动态电阻，其特征在于，所述动态电阻包括：一个N沟道耗尽型器件和一个P沟道耗尽型器件，N沟道耗尽型器件和P沟道耗尽型器件前后串联，N沟道耗尽型器件的源极与P沟道耗尽型器件的源极相连，N沟道耗尽型器件的栅极与P沟道耗尽型器件的漏极相连，P沟道耗尽型器件的栅极与N沟道耗尽型器件的漏极相连，N沟道耗尽型器件的漏极为动态电阻电流输入端，P沟道耗尽型器件的漏极为动态电阻电流输出端。2.根据权利要求1所述的动态电阻，其特征在于，耗尽型器件为MOS场效应晶体管或者结型场效应晶体管。3.根据权利要求1所述的动态电阻，其特征在于，所述动态电阻通过半导体工艺，集成于同一芯片内部。4.一种集成权利要求1-2中任意一个所述动态电阻的芯片，其特征在于，芯片最下方为N型衬底，P型外延层位于N型衬底之上；位于芯片左侧的器件为N沟道耗尽型MOS器件，N沟道耗尽型MOS器件为横向结构，在多晶硅栅极的正下方布置有通过离子注入预先形成的导电沟道；位于芯片右侧的器件为P沟道结型场效应晶体管。5.一种基于权利要求1-2中任意一个所述动态电阻的单向浪涌电流抑制的电路，其特征在于，所述电路包括：N沟道耗尽型MOS场效应晶体管、动态电阻；...

【专利技术属性】
技术研发人员：张少锋，周仲建，
申请(专利权)人：成都方舟微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51