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一种动态电阻及芯片及电路制造技术
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文档序号:20008585
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本发明公开了一种动态电阻及芯片及电路,所述动态电阻包括:一个N沟道耗尽型器件和一个P沟道耗尽型器件,N沟道耗尽型器件和P沟道耗尽型器件前后串联,N沟道耗尽型器件的源极与P沟道耗尽型器件的源极相连,N沟道耗尽型器件的栅极与P沟道耗尽型器件的漏...
该专利属于成都方舟微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过成都方舟微电子有限公司授权不得商用。
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