半导体装置制造方法及图纸

一种装置包括第一电容器及并联连接到所述第一电容器的第二电容器。所述第一电容器包括半导体区及第一多个栅极堆叠。所述第一多个栅极堆叠包括：多个栅电介质，位于所述半导体区之上且接触所述半导体区；以及多个栅电极，位于所述多个栅电介质之上。所述第二电容器包括：隔离区；第二多个栅极堆叠，位于所述隔离区之上；以及多个导电条，位于所述隔离区之上且平行于所述第二多个栅极堆叠。所述第二多个栅极堆叠与所述多个导电条交替地布置。

Semiconductor Device

A device includes a first capacitor and a second capacitor connected in parallel to the first capacitor. The first capacitor comprises a semiconductor region and a first plurality of gate stacks. The first plurality of gate stacks includes: a plurality of gate dielectrics located above and in contact with the semiconductor region; and a plurality of gate electrodes located above the plurality of gate dielectrics. The second capacitor comprises: an isolation area; a second plurality of gate stacks located above the isolation area; and a plurality of conductive strips located above the isolation area and parallel to the second plurality of gate stacks. The second plurality of gate stacks are arranged alternately with the plurality of conductive strips.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术实施例涉及一种具有电容器的半导体装置。
技术介绍
电容器用于形成集成电路。存在有多种不同的电容器。举例来说，金属-绝缘体-金属(Metal-Insulator-Metal，MIM)电容器已广泛用于例如混合信号电路、模拟电路、射频(RadioFrequency，RF)电路、动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)、嵌入式动态随机存取存储器以及逻辑运算电路等的功能电路中。在系统芯片(system-on-chip)应用中，用于不同功能电路的不同电容器被集成在同一芯片上，以满足不同的目的。举例来说，在混合信号电路中，电容器用作去耦电容器及高频噪声滤波器。对于动态随机存取存储器电路及嵌入式动态随机存取存储器电路来说，电容器用于存储器存储，而对于射频电路来说，电容器在振荡器及相移网络(phase-shiftnetworks)中用于耦合及/或旁通(bypassing)目的。对于微处理器来说，电容器用于去耦。将这些电容器组合在同一芯片上的传统方式是将其制作在不同的金属层中。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种半导体装置包括第一电容器及并本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：第一电容器，包括：半导体区；以及第一多个栅极堆叠，包括：多个栅电介质，位于所述半导体区之上且接触所述半导体区；以及多个栅电极，位于所述多个栅电介质之上；以及第二电容器，并联连接到所述第一电容器，所述第二电容器包括：隔离区；第二多个栅极堆叠，位于所述隔离区之上；以及多个导电条，位于所述隔离区之上且平行于所述第二多个栅极堆叠，其中所述第二多个栅极堆叠与所述多个导电条交替地布置。

【技术特征摘要】
2017.06.28 US 62/525,916;2018.04.30 US 15/966,4061.一种半导体装置，其特征在于，包括：第一电容器，包括：半导体区；以及第一多个栅极堆叠，包括：多个栅电介质，...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹豪杰，陈重辉，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71