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一种装置包括第一电容器及并联连接到所述第一电容器的第二电容器。所述第一电容器包括半导体区及第一多个栅极堆叠。所述第一多个栅极堆叠包括：多个栅电介质，位于所述半导体区之上且接触所述半导体区；以及多个栅电极，位于所述多个栅电介质之上。所述第二电...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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