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一种半导体元器件，其在P型基底中包括N型阱区。MOSFET的源极区与所述阱区的边界横向分隔开，所述阱区包括所述MOSFET的漏极。所述MOSFET的绝缘栅极从所述源极横向延伸到至少刚越过所述阱区的边界。多晶硅层(其形成电容性反熔丝的第一板)...
该专利属于电力集成公司所有，仅供学习研究参考，未经过电力集成公司授权不得商用。

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