【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种。
技术介绍
随着集成电路技术的不断发展，在MEMS (Micro Electromechanical System，微电子机械系统)、功率器件及电路等方面也得到了广泛的应用，通过将微机械技术或其他技术同集成电路制造工艺相结合，在半导体材料的衬底上制作微型器件、微型系统或功率器件、 功率电路等。传统地，多采用单晶硅衬底和SOI (Silicon On hsulator，绝缘体上硅)衬底来进行器件的制作。对于SOI衬底，SOI本身的价格就高，而且微机械器件及电路的制作工艺也较传统工艺更复杂，会大大提高产品的成本。对于单晶硅衬底，主要通过在单晶硅衬底上淀积多晶材料及其他绝缘材料后，通过刻蚀来形成器件，但由于多晶材料淀积工艺及材料本身的缺陷，这使得其淀积厚度受到限制，也影响到器件的性能。具体的，上述单晶硅衬底形成器件的问题在于，在衬底上淀积的多晶材料的本身具有较大的应力，该应力会影响多晶硅可以实现的淀积厚度及器件的性能，尤其会影响对应力敏感的器件，例如，对于MEMS惯性传感器或电容式压力传感器，它们是利用多晶硅结构释放后在惯...
【技术保护点】
１．一种衬底结构，其特征在于，包括：相对设置的第一衬底和第二衬底；所述第一衬底的第一表面朝向第二衬底的第二表面，所述第一表面依次设置有导体互连层和键合层；所述键合层将第一衬底及导体互连层与第二衬底连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：柳连俊，
申请(专利权)人：迈尔森电子天津有限公司，
类型：发明
国别省市：12
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