【技术实现步骤摘要】
该披露内容涉及用于抗蚀剂的下层的含芳香环化合物,以及涉及抗蚀剂的下层组 合物。
技术介绍
在微电子工业和其他相关工业中,包括微观结构的制造(如,微型机械装置和磁 阻磁头(magneto-resist heads)),对于减小结构形状尺寸存在持续的需求。在微电子工业 中,对于减小微电子器件的大小以便提供许多给定芯片尺寸的电路存在需求。有效的光刻技术对于实现减小结构形状尺寸是必要的。典型的光刻方法涉及以下过程。首先,将抗蚀剂涂覆在下层材料上,并且暴露于辐 射以形成抗蚀剂层。其后,将所述抗蚀剂层显影以提供图案化的抗蚀剂层,蚀刻在图案化的 抗蚀剂层中暴露的下层材料以将图案转移到下层材料。在完成转移后,去除抗蚀剂层的残 留部分。然而,所述抗蚀剂不提供对蚀刻步骤的抗性,达到了这样的程度,S卩,其足以有效 地将希望的图案转移到下层材料。在需要非常薄抗蚀剂层的情况下,要被蚀刻的下层材料 较厚,则需要大的蚀刻深度,或者依赖于下层材料的类型需要使用特定蚀刻剂,使用抗蚀剂 下层。抗蚀剂下层用作抗蚀剂层和下层材料之间的中间层,其可以通过从图案化的抗蚀 剂转移而被图案化。抗蚀剂下层必须能够从图案化的抗蚀剂层接受图案并经受所需的蚀刻 以将图案转移到下层材料。已经提议了许多用于此类下层的材料,但是对于改进的下层组合物也存在需求。由于常规下层材料难以应用于衬底,因此需要使用化学和物理气相沉积、特定溶 剂、和/或高温烘焙。然而,这些方法具有高成本。因此,最近已经研究了可以通过旋涂技 术应用下层组合物,而无需高温烘焙。也需要研究可以利用叠加的抗蚀剂层作为掩模以容易的方式进行选择性蚀刻,同 ...
【技术保护点】
1.一种用于抗蚀剂的下层的由以下化学式1表示的含芳香环化合物:[化学式1]其中,在化学式1中,R1到R6每一个独立地为取代的或未取代的C1到C10烷基基团、取代的或未取代的C5到C20芳香环基团、取代的或未取代的C3到C20环烷基基团、取代的或未取代的C3到C20环烯基基团、取代的或未取代的C2到C20杂芳基基团、或取代的或未取代的C2到C20杂环烷基基团,X1到X6每一个独立地为氢、羟基基团(-OH)、取代或未取代的烷基胺基团、取代或未取代的烷氧基基团、或氨基基团(-NH2),n1到n6每一个独立地为0或1,以及1≤n1+n2+n3+n4+n5+n6≤6。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵诚昱,田桓承,金旼秀,吴丞培,宋知胤,
申请(专利权)人:第一毛织株式会社,
类型:发明
国别省市:KR
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