芳族化合物及其用途制造技术

本发明专利技术公开了一种由式(1)表示的芳族化合物，其具有优异的有害生物的防治活性[在该式中R1和R2各自独立地表示卤素原子、C1‑C4烷基或C1‑C4卤代烷基等；m和n各自独立地表示0至4的整数；R3和R4各自表示氢原子等；Y表示式：‑OC(＝X)ZR5或‑SC(＝X)ZR5；R5表示可以具有一个或多个卤素原子的C1‑C3烷基；Z表示硫原子、NR8或直接键；R8表示C1‑C3烷基或氢原子等；Q表示可以具有取代基的吡唑基；并且W和X各自独立地表示氧原子或硫原子]。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】芳族化合物及其用途
本专利技术涉及芳族化合物及其应用。
技术介绍
迄今为止，已经广泛开发了多种化学品以防治有害生物并且提供到实践使用中，但是，在一些情况下，这些化学品不可以发挥足够的活性。同时，作为具有芳族基团的化合物，已知有由以下式(X)表示的化合物：(参见JPH07-179402A)。
技术实现思路
本专利技术提供具有优异的针对有害生物的防治活性的化合物。本专利技术的专利技术人进行了大量研究从而发现了具有优异的针对有害生物的防治活性的化合物，并且发现了由以下显示的式(1)表示的化合物具有优异的针对有害生物的防治活性，因此完成本专利技术。本专利技术包括以下[1]至[7]。[1]一种由式(1)表示的芳族化合物：其中R1和R2各自独立地表示卤素原子、任选地具有一个或多个卤素原子的C1-C4烷基、任选地具有一个或多个卤素原子的C3-C4环烷基、任选地具有一个或多个卤素原子的C2-C4烯基、任选地具有一个或多个卤素原子的C2-C4炔基、任选地具有一个或多个卤素原子的C1-C4烷氧基、任选地具有一个或多个卤素原子的C1-C4烷硫基、氰基或硝基(其中当m是2以上的整数时，两个以上的R1可以彼此相同或不同，并且当n是2以上的整数时，两个以上的R2可以彼此相同或不同)；m和n各自独立地表示0至4的整数；R3和R4各自独立地表示氢原子或任选地具有一个或多个卤素原子的C1-C3烷基；Y表示式：-OC(＝X)ZR5或-SC(＝X)ZR5；R5表示任选地具有一个或多个卤素原子的C1-C3烷基；Z表示氧原子、硫原子、NR8或直接键；R8表示任选地具有一个或多个卤素原子的C1-C3烷基或氢原子；Q表示任选地具有一个或多个选自P1组的原子或基团的吡唑基；并且W和X各自独立地表示氧原子或硫原子：P1组为由以下各项组成的组：卤素原子、任选地具有一个或多个卤素原子的C1-C6烷基、任选地具有一个或多个卤素原子的C2-C6烯基、任选地具有一个或多个卤素原子的C2-C6炔基、任选地具有一个或多个卤素原子的C3-C6环烷基、任选地具有一个或多个卤素原子的C1-C6烷氧基、任选地具有一个或多个卤素原子的C1-C6烷硫基、任选地具有一个或多个卤素原子的C3-C6环烷基氧基、任选地具有一个或多个卤素原子的C3-C6环烷硫基、任选地具有一个或多个卤素原子的C3-C6烯氧基、任选地具有一个或多个卤素原子的C3-C6炔氧基、任选地具有一个或多个卤素原子的C3-C6烯硫基、任选地具有一个或多个卤素原子的C3-C6炔硫基、任选地具有一个或多个卤素原子的C2-C6烷基羰基、任选地具有一个或多个卤素原子的C2-C6烷基羰基氧基、任选地具有一个或多个卤素原子的C2-C6烷基羰基硫基、羧基、甲酰基、任选地具有一个或多个卤素原子的C2-C6烷氧基羰基、硝基、氰基和任选地具有C1-C6烷基的氨基(其中所述烷基任选地具有一个或多个卤素原子)。[2]根据[1]所述的芳族化合物，其中所述芳族化合物是由式(2)表示的化合物：其中R9和R10各自独立地表示氢原子、任选地具有一个或多个卤素原子的C1-C3烷基、卤素原子、任选地具有一个或多个卤素原子的C3-C5环烷基或任选地具有一个或多个卤素原子的C1-C3烷氧基；R11表示氢原子、任选地具有一个或多个卤素原子的C1-C3烷基、卤素原子、任选地具有一个或多个卤素原子的C1-C3烷氧基，任选地具有一个或多个卤素原子的C2-C3烯基、任选地具有一个或多个卤素原子的C3-C4环烷基、任选地具有一个或多个卤素原子的C2-C3炔基或任选地具有一个或多个卤素原子的C1-C3烷硫基；Y’表示式：-OC(＝X)Z’R5或-SC(＝X)Z’R5；Z’表示硫原子、NR8或直接键；R5、R8、W和X与以上所限定的相同；并且Q2表示任选地具有一个或多个卤素原子或选自P2组的基团的吡唑-1-基：P2组为由以下各项组成的组：卤素原子、任选地具有一个或多个卤素原子的C1-C6烷基、任选地具有一个或多个卤素原子的C2-C6烯基、任选地具有一个或多个卤素原子的C2-C6炔基、任选地具有一个或多个卤素原子的C3-C6环烷基、任选地具有一个或多个卤素原子的C1-C6烷氧基、任选地具有一个或多个卤素原子的C1-C6烷硫基、任选地具有一个或多个卤素原子的C3-C6烯氧基、任选地具有一个或多个卤素原子的C3-C6炔氧基和氰基。[3]根据[1]所述的芳族化合物，其中所述芳族化合物是由式(3)表示的化合物：其中R9、R10、R11、Y’和W与以上所限定的相同；并且Q3表示任选地具有一个或多个选自P2组的原子或基团的吡唑-3-基。[4]根据[1]所述的芳族化合物，其中所述芳族化合物是由式(4)表示的化合物：其中R12表示任选地具有一个或多个卤素原子的C1-C3烷基或卤素原子；R13和R14各自独立地表示氢原子或任选地具有一个或多个卤素原子的C1-C3烷基；R15表示氢原子、任选地具有一个或多个卤素原子的C1-C3烷基、卤素原子、任选地具有一个或多个卤素原子的C1-C3烷氧基或任选地具有一个或多个卤素原子的C3-C4环烷基；Y”表示式：-OC(＝X)Z”R5；Z”表示NR8或直接键；R5和R8与以上所限定的相同；并且Q4表示任选地具有一个或多个选自P3组的原子或基团的吡唑-3-基，或任选地具有一个或多个选自P3组的原子或基团的吡唑-1-基：P3组为由以下各项组成的组：氢原子、卤素原子、任选地具有一个或多个卤素原子的C1-C6烷基和任选地具有一个或多个卤素原子的C1-C6烷氧基。[5]一种有害生物防治剂，其包含根据[1]至[4]中任一项所述的芳族化合物(下文中称为本专利技术的防治剂)。[6]一种用于防治有害生物的方法，所述方法包括将有效量的根据[1]至[4]中任一项所述的芳族化合物施用于植物或土壤。[7]根据[1]至[4]中任一项所述的芳族化合物用于防治有害生物的用途。根据本专利技术，可以防治有害生物。用于实施本专利技术的方式本专利技术的化合物(下文中称为本专利技术的化合物)是由式(1)表示的化合物：式(1)其中符号与以上所限定的相同。以下将提及本文中所使用的取代基。卤素原子的实例包括氟原子、氯原子、溴原子和碘原子。任选地具有一个或多个卤素原子的C1-C4烷基的实例包括甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、氟甲基、氯甲基、二氯甲基、二氟甲基、三氟甲基、三氯甲基、2-氟乙基、2，2，2-三氟乙基和2，2，2-三氟-1-(三氟甲基)乙基。任选地具有一个或多个卤素原子的C3-C4环烷基的实例包括环丙基、环丁基、2，2-二氯环丙基和2，2-二氟环丙基。任选地具有一个或多个卤素原子的C2-C4烯基的实例包括乙烯基、1-丙烯基、异丙烯基、3-丁烯基、2-氟乙烯基、2-氯乙烯基、2-溴乙烯基、2-碘乙烯基、2，2-二氟乙烯基、2，2-二氯乙烯基、2，2-二溴乙烯基、3，3-二氟-2-丙烯基、3，3-二氯-2-丙烯基、3，3-二溴-2-丙烯基、3-氯-2-丙烯基和4-氟-3-丁烯基。任选地具有一个或多个卤素原子的C2-C4炔基的实例包括乙炔基、炔丙基、3-丁炔-2-基、3-丁炔基、氟乙炔基、3-氯-2-丙炔基、3-溴-2-丙炔基和4-氯-1-丁炔基。任选地具有一个或多个卤素原子的C1-C4烷氧基的实例包括甲氧基、乙本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种由式(1)表示的芳族化合物：其中R1和R2各自独立地表示卤素原子、任选地具有一个或多个卤素原子的C1‑C4烷基、任选地具有一个或多个卤素原子的C3‑C4环烷基、任选地具有一个或多个卤素原子的C2‑C4烯基、任选地具有一个或多个卤素原子的C2‑C4炔基、任选地具有一个或多个卤素原子的C1‑C4烷氧基、任选地具有一个或多个卤素原子的C1‑C4烷硫基、氰基或硝基(其中当m是2以上的整数时，两个以上的R1可以彼此相同或不同，并且当n是2以上的整数时，两个以上的R2可以彼此相同或不同)；m和n各自独立地表示0至4的整数；R3和R4各自独立地表示氢原子或任选地具有一个或多个卤素原子的C1‑C3烷基；Y表示式：‑OC(＝X)ZR5或‑SC(＝X)ZR5；R5表示任选地具有一个或多个卤素原子的C1‑C3烷基；Z表示氧原子、硫原子、NR8或直接键；R8表示任选地具有一个或多个卤素原子的C1‑C3烷基或氢原子；Q表示任选地具有一个或多个选自P1组的原子或基团的吡唑基；并且W和X各自独立地表示氧原子或硫原子：P1组为由以下各项组成的组：卤素原子、任选地具有一个或多个卤素原子的C1‑C6烷基、任选地具有一个或多个卤素原子的C2‑C6烯基、任选地具有一个或多个卤素原子的C2‑C6炔基、任选地具有一个或多个卤素原子的C3‑C6环烷基、任选地具有一个或多个卤素原子的C1‑C6烷氧基、任选地具有一个或多个卤素原子的C1‑C6烷硫基、任选地具有一个或多个卤素原子的C3‑C6环烷基氧基、任选地具有一个或多个卤素原子的C3‑C6环烷硫基、任选地具有一个或多个卤素原子的C3‑C6烯氧基、任选地具有一个或多个卤素原子的C3‑C6炔氧基、任选地具有一个或多个卤素原子的C3‑C6烯硫基、任选地具有一个或多个卤素原子的C3‑C6炔硫基、任选地具有一个或多个卤素原子的C2‑C6烷基羰基、任选地具有一个或多个卤素原子的C2‑C6烷基羰基氧基、任选地具有一个或多个卤素原子的C2‑C6烷基羰基硫基、羧基、甲酰基、任选地具有一个或多个卤素原子的C2‑C6烷氧基羰基、硝基、氰基和任选地具有C1‑C6烷基的氨基(其中所述烷基任选地具有一个或多个卤素原子)。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.12.12 JP 2013-2567031.一种由式(1)表示的芳族化合物：其中R1和R2各自独立地表示卤素原子、任选地具有一个或多个卤素原子的C1-C4烷基、任选地具有一个或多个卤素原子的C3-C4环烷基、任选地具有一个或多个卤素原子的C2-C4烯基、任选地具有一个或多个卤素原子的C2-C4炔基、任选地具有一个或多个卤素原子的C1-C4烷氧基、任选地具有一个或多个卤素原子的C1-C4烷硫基、氰基或硝基，其中当m是2以上的整数时，两个以上的R1可以彼此相同或不同，并且当n是2以上的整数时，两个以上的R2可以彼此相同或不同；m和n各自独立地表示0至4的整数；R3和R4各自独立地表示氢原子或任选地具有一个或多个卤素原子的C1-C3烷基；Y表示式：-OC(＝X)ZR5或-SC(＝X)ZR5；R5表示任选地具有一个或多个卤素原子的C1-C3烷基；Z表示氧原子、硫原子、NR8或直接键；R8表示任选地具有一个或多个卤素原子的C1-C3烷基或氢原子；Q表示任选地具有一个或多个选自P1组的原子或基团的吡唑基；并且W和X各自独立地表示氧原子或硫原子：P1组为由以下各项组成的组：卤素原子、任选地具有一个或多个卤素原子的C1-C6烷基、任选地具有一个或多个卤素原子的C2-C6烯基、任选地具有一个或多个卤素原子的C2-C6炔基、任选地具有一个或多个卤素原子的C3-C6环烷基、任选地具有一个或多个卤素原子的C1-C6烷氧基、任选地具有一个或多个卤素原子的C1-C6烷硫基、任选地具有一个或多个卤素原子的C3-C6环烷基氧基、任选地具有一个或多个卤素原子的C3-C6环烷硫基、任选地具有一个或多个卤素原子的C3-C6烯氧基、任选地具有一个或多个卤素原子的C3-C6炔氧基、任选地具有一个或多个卤素原子的C3-C6烯硫基、任选地具有一个或多个卤素原子的C3-C6炔硫基、任选地具有一个或多个卤素原子的C2-C6烷基羰基、任选地具有一个或多个卤素原子的C2-C6烷基羰基氧基、任选地具有一个或多个卤素原子的C2-C6烷基羰基硫基、羧基、甲酰基、任选地具有一个或多个卤素原子的C2-C6烷氧基羰基、硝基、氰基和任选地具有C1-C6烷基的氨基，其中所述烷基任选地具有一个或多个卤素原子。2.根据权利要求1所述的芳族化合物，其中所述芳族化合物是由式(2)表示的化合物：其中R9和R10各自独立地表示氢原子、任选地具有一个或多个卤素原子的C1-C3烷基、卤素原子、任选地具有一个或多个卤素原子的C3-C5环烷基或任选地具有一个或多个卤素原...

【专利技术属性】
技术研发人员：盐田隆之，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP