驱动芯片的版图结构制造技术

本发明专利技术揭示了一种驱动芯片的版图结构，该版图结构的晶体管采用曲栅状的排列方式，即晶体管的栅极是采用较为平缓的135度的弯曲方式延伸，即相接的栅极进行两次135度弯折后平行延伸，而栅极的两侧分别相间形成对角状分布的源极区接触和漏极区接触。如此排列的版图结构，增加了栅极的宽度，使得栅极条的排布更加紧密，减少了芯片的面积；同时，由于源极区接触孔和漏极区接触孔呈对角放置，增加了源/漏限流作用，改善了电子器件在极限条件下的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及一种驱动功率较大的芯片版图结构。
技术介绍
随着人们对芯片的要求越来越高，在芯片的应用过程中，人们希望芯片不仅功能 正确无误，有良好的性能，对芯片的面积要求也越来越高，所以对版图的要求也会提高。 一般情况下芯片的驱动版图的结构如图1所示，这种多晶栅晶体管是由一系列源极接触 (Source contact)和漏极接触(Drain contact)相互交叉排列形成的漏源叉指组成。尽管 这样的排布非常简单，但晶体管的结构不够紧凑，因此占有用的芯片的面积较大，进而增加 了生产成本。尤其对于大功率的芯片来说，由于芯片的工作电压基本不变，因此通过芯片的 电流较大，容易使芯片发热，进而影响芯片的性能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出一种驱动芯片的版图结构，其采用曲栅状晶体管的版图排 列方式，以减小芯片的面积，提高芯片的性能及功能，进而改善器件在极限条件下的稳定 性。为实现上述目的，本专利技术提出如下技术方案该版图结构的晶体管采用曲栅状的 排列方式，即晶体管的栅极是采用平缓的大角度的弯曲方式延伸，栅极的两侧分别相间形 成源极区接触和漏极区接触。所述晶体管的栅极采用135度的弯曲方式；所述晶体管相接的栅极进行两次135度弯折后平行延伸；所述源极区接触和漏极区接触呈对角状分布；所述版图结构的两侧易植入分布式背栅接触孔以对芯片上的晶体管进行扩展。与
技术介绍
相比，本专利技术所揭示的驱动芯片的版图结构，由于是采用曲栅状排列 的晶体管结构，即晶体管的栅极采用较为平缓的135度的弯曲方式延伸，增加了栅极的宽 度，使得栅极条的排布更为紧密，其较
技术介绍
中版图结构减少了一半的芯片面积，降低了 生产成本。同时，由于源极区接触孔和漏极区接触孔呈对角放置，增加了源/漏限流作用， 改善了电子器件在极限条件下的稳定性。附图说明图1为现有的驱动芯片的版图结构的示意图；图2为本专利技术驱动芯片的版图结构的示意图；图3为本专利技术驱动芯片植入背栅接触孔后的版图结构的示意具体实施例方式如图2所示，为本专利技术大功率驱动的芯片结构的一种最佳实施方式，其晶体管是采用曲栅状的排列方式，即多晶硅的栅极(poly)并非采用图1中的90度的弯曲布置，而是 采用较为平缓的135度的对称的弯曲方式(采用135度弯曲的方式为最优的弯曲方式)， 即相接的栅极是经过两次135度的弯折后平行延伸，形成如图2所示的分布形式，在弯曲区 域相间的两侧分别形成源极区接触(Source contact)和漏极区接触(Drain contact)，且 源极区接触和漏极区接触呈对角状排布。这样的弯曲排布的曲栅增加了栅极的宽度，使得 晶体管的源极极接触和漏极极接触，以及栅极条的排列更加紧密，从而减少了芯片的面积 (这种方式排列的版图较
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中版图能减小一般芯片的面积)，同时，由于栅极的弯曲 采用的是较为平缓的135度弯曲，因此也不容易发生局部雪崩击穿。此外，由于源极区接触和漏极区接触孔呈对角放置，因此源极区接触和漏极 区接触之间的氧化层的面积增加，亦即等效于源极和漏极之间的电阻增大，这样进一 步增加了源/漏限流作用，从而改善电子器件在极限条件下的稳定性，例如在进行 ESD (Electrostatic Discharge，静电放电)测试中可能遇到的情况，提高了电子器件的整 体性能。更进一步，如图3示，在不牺牲更多的芯片面积的同时，这种版图结构的芯片根据 实际需要，很容易实现在芯片的两侧进行同样排列方式的晶体管的扩展，即在芯片的两侧 植入大范围的分布式背栅接触孔网络，使得这种器件适用于经常发生瞬态过载的情况。本专利技术的
技术实现思路
及技术特征已揭示如上，然而熟悉本领域的技术人员仍可能基 于本专利技术的教示及揭示而作种种不背离本专利技术精神的替换及修饰，因此，本专利技术保护范围 应不限于实施例所揭示的内容，而应包括各种不背离本专利技术的替换及修饰，并为本专利申 请权利要求所涵盖。权利要求1.一种驱动芯片的版图结构，其特征在于该版图结构的晶体管采用曲栅状的排列方 式，即晶体管的栅极是采用平缓的大角度的弯曲方式延伸，栅极的两侧分别相间形成源极 区接触和漏极区接触。2.一种如权利要求1所述的驱动芯片的版图结构，其特征在于所述晶体管的栅极采 用135度的弯曲方式。3.—种如权利要求2所述的驱动芯片的版图结构，其特征在于所述晶体管相接的栅 极进行两次135度弯折后平行延伸。4.一种如权利要求1所述的驱动芯片的版图结构，其特征在于所述源极区接触和漏 极区接触呈对角状分布。5.一种如权利要求1所述的驱动芯片的版图结构，其特征在于所述版图结构的两侧 易植入分布式背栅接触孔。全文摘要本专利技术揭示了一种驱动芯片的版图结构，该版图结构的晶体管采用曲栅状的排列方式，即晶体管的栅极是采用较为平缓的135度的弯曲方式延伸，即相接的栅极进行两次135度弯折后平行延伸，而栅极的两侧分别相间形成对角状分布的源极区接触和漏极区接触。如此排列的版图结构，增加了栅极的宽度，使得栅极条的排布更加紧密，减少了芯片的面积；同时，由于源极区接触孔和漏极区接触孔呈对角放置，增加了源/漏限流作用，改善了电子器件在极限条件下的稳定性。文档编号H01L29/08GK102142439SQ201010612798公开日2011年8月3日 申请日期2010年12月30日 优先权日2010年12月30日专利技术者张祯, 彭秋平, 杭晓伟 申请人:苏州华芯微电子股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种驱动芯片的版图结构，其特征在于：该版图结构的晶体管采用曲栅状的排列方式，即晶体管的栅极是采用平缓的大角度的弯曲方式延伸，栅极的两侧分别相间形成源极区接触和漏极区接触。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杭晓伟，张祯，彭秋平，
申请(专利权)人：苏州华芯微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：32