非易失性半导体存储器设备及其生产方法技术

本发明专利技术公开了非易失性半导体存储器设备及其生产方法。所述非易失性半导体存储器设备具有的结构使得，成本低，并且生产率和产能较高。在第一金属布线119和第二金属布线121上方同时分别形成第一开口128和第二开口129，所述第一金属布线119和所述第二金属布线121被提供为在其上形成用于选择存储器单元的晶体管的衬底上的同一层。随后，在整个表面上沉积可变电阻器124和上方电极126，以便用所述上方电极126完全填充所述第一开口128但是用其不完全填充所述第二开口129。其后，在所述第一开口128中形成可变电阻元件104并且同时在所述第二开口129中形成用以连接到第三金属布线（位线）的通路孔。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种非易失性半导体存储器设备，更具体来说，本专利技术涉及一种利用 了可变电阻元件的非易失性半导体存储器设备，所述可变电阻元件具有第一电极、第二电 极以及形成在这些电极之间的可变电阻器，其中通过在这两个电极之间施加电压来使得由 这两个电极之间的电流-电压特性所表示的电阻态可逆地变换到两个或更多个不同电阻 态，并且可以按照非易失性的方式保持所述变换后的电阻态；本专利技术还涉及一种用于生产 所述非易失性半导体存储器设备的方法。
技术介绍
随着移动电子设备的流行，需要大容量且便宜的非易失性存储器能够在断电时保 持所存储的数据。为了满足这一要求，已经陆续开发出多种非易失性存储器，比如闪速存储 器、铁电存储器(FeRAM),磁阻改变存储器(MRAM)、相位改变存储器(PCRAM)、固态电解质存 储器(CBRAM)、以及电阻改变存储器(RRAM)(参照W. W Zhuang等人的“Novell Colossal Magnetoresistive Thin Film Nonvolatile Resistance Random Access Memory (RRAM)"， IEDM T本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种非易失性半导体存储器设备，包括：布置成矩阵形式的多个可变电阻元件，每个所述可变电阻元件包括第一电极、第二电极、以及夹在所述第一电极和所述第二电极之间的可变电阻器，其中通过在所述第一电极和所述第二电极之间施加电压来使得由所述第一电极与所述第二电极之间的电流－电压特性所表示的电阻态变换到两个或更多个不同状态，并且按照非易失性的方式保持所述变换后的电阻态，其中，在第一金属布线上方形成第一开口，以便穿透提供在所述第一金属布线上的层间绝缘膜；在与所述第一金属布线提供为同一层的第二金属布线上方形成第二开口，以便穿透提供在所述第二金属布线上的层间绝缘膜；在具有底部和侧壁的所述第一开口的至少整个底部上...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：井上雄史，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP