三维半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种三维半导体装置及其制造方法。该三维半导体装置包括具有设置在基底上的顺序堆叠的电极的电极结构、穿透电极结构的半导体图案、包括设置在半导体图案和电极结构之间的第一图案和第二图案的存储元件，第一图案垂直延伸以横过电极，第二图案水平延伸以横过半导体图案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术构思的示例实施例涉及半导体装置及其制造方法，更具体地讲，涉及包括三维布置的存储单元的三维半导体存储装置及其制造方法。
技术介绍
3D-IC存储器技术可以用于增加存储器容量。3D-IC存储器技术通常指与三维地布置存储单元相关的技术。除了 3D-IC存储器技术之外，还可以通过(1)图案小型化技术 (pattern miniaturization technique)禾口(2)多层单兀(MLC, multi-level cell)技术来增加存储器容量。然而，可能会因高成本而限制图案小型化技术的使用，通过MLC技术实现的容量增加可能会受在每个单元中将要增加的比特的数量的限制。在实现增加更多的存储器容量的方面，图案小型化技术和MLC技术可以与3D-IC技术结合，并可有望与3D-IC技术分离地发展。一种3D-IC技术是冲孔和插塞技术(punch-and-plug technique)。冲孔和插塞技术包括在基底上顺序形成多层的薄层，然后形成塞子以穿透所述薄层。通过这样的技术，在没有显著地增加制造成本的情况下，可以实现一定存储容量的三维存储装置。
技术实现思路
本专利技术构思的示例实施例可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种三维半导体装置，包括：电极结构，包括在基底上的堆叠的多个电极；多个半导体图案，穿透电极结构；多个存储元件，在半导体图案和电极结构之间，存储元件包括沿第一方向延伸以与所述多个电极交叉的第一图案和沿与第一方向正交的第二方向延伸以与所述多个半导体图案交叉的第二图案。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：薛光洙，黄棋铉，崔汉枚，朴赞真，许星会，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR