存储器电路及其操作方法技术

本发明专利技术提供一种存储器电路。该存储器电路包括一第一组存储器阵列及一第二存储器阵列，该第一组存储器阵列包括一第一存储器阵列，耦接至一第一输入/输出(IO)接口，而该第二存储器阵列耦接至一第二IO接口。一第二组存储器阵列包括一第三存储器阵列及一第四存储器阵列。该第三存储器阵列耦接至一第三输入/输出(IO)接口而该第四存储器阵列耦接至一第四IO接口。多个冗余位元线包括至少一第一冗余位元线，用以选择性修复该第一组存储器阵列，其中至少一第二冗余位元线用以选择性修复该第二组存储器阵列。本发明专利技术采用冗余技术以修复失效的存储器位元晶格，可达到理想的修复效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术大体涉及半导体电路的领域，还涉及冗余电路以及操作该电路的方法。
技术介绍
快闪存储器已应用于各种电子装置之中。快闪存储器能够用来随机存取应用程序等数据，并可被多次读取及写入。一般快闪存储器晶格为堆叠栅(stacked gates)架构的改良型MOS晶体管。堆叠栅具有一控制栅及一浮动栅。控制栅用以开启或关闭晶体管，因而控制从漏极流至源极的电流。浮动栅配置于控制栅与装置通道之间。电荷可出入于浮动栅，并且因包覆浮动栅的隔绝材料的关系而陷落入于浮动栅之中。快闪晶体管晶格的临界电压会随着浮动栅的电荷状态而改变。位元数据值可依照浮动栅的电荷状态而被存储于各快闪存储器晶格之中。对浮动栅充电及放电的流程分别称为擦除作业(erasing)及编程(program)作业。对快闪存储器晶格进行擦除或编程皆需要能克服位于浮动栅电极与充电电源间能量障壁(例如氧化层)的电子。通过在该障壁上施加相对大的电压，将使这些电子的能量电平抬升至该能量障壁之上。举例而言，从该浮动栅往该控制栅注入电子可擦除该快闪存储器晶格的数据。当浮动栅电容性耦接至低电压或负电压时，控制栅会被施以一大的正电压。相似地，在进行编程本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种存储器电路，包括：一第一组存储器阵列，包括：一第一存储器阵列，耦接至一第一输入／输出接口，以及一第二存储器阵列耦接至一第二输入／输出接口；一第二组存储器阵列，包括一第三存储器阵列耦接至一第三输入／输出接口，以及一第四存储器阵列耦接至一第四输入／输出接口；以及多个冗余位元线，包括：至少一第一冗余位元线，用以选择性修复该第一组存储器阵列；以及至少一第二冗余位元线，用以选择性修复该第二组存储器阵列。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨天骏，池育德，刘上玄，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71