一种晶体管的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种双栅结构的薄膜晶体管的制造方法，晶体管的有源区和顶栅电极采用透明薄膜材料，在光刻涂胶时，在形成顶栅电极的透明导电薄膜表面涂布光刻胶；光刻曝光时，从衬底的背面进行曝光；经光刻显影后，在导电薄膜的表面形成与底栅电极正对的光刻胶图形；根据所述光刻胶图形刻蚀导电薄膜形成与底栅电极正对顶栅电极。上述方法形成的双栅薄膜晶体管提高采用底栅电极作为天然的掩膜板，节约了晶体管的制造成本，并且提高了顶栅电极和底栅电极的对准精度，增强了双栅结构薄膜晶体管的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶体管的制造，尤其是一种双栅薄膜晶体管的制造方法。
技术介绍
薄膜晶体管作为开关控制元件或周边驱动电路的集成元件，是平板显示技术中的 核心器件之一，其性能直接影响平板显示的效果。现有中的薄膜晶体管包括单栅结构和双 栅结构。双栅结构与单栅结构的薄膜晶体管相比，具有更强的驱动能力、更陡的亚阈斜率、 显著减少的电路占地面积等优势。而且，合理和巧妙使用双栅的组合能实现新功能的器件 和电路。但是，双栅结构薄膜晶体管，尤其是平面双栅的最大问题是其制备工艺复杂，特别 是结构的自对准难以实现。迄今所提出的方法均是非自对准的。非自对准的工艺会导致器 件特性存在大的离散性和产生较大的寄生元件(比如寄生电容)，而这是平板显示应用所 不能接受的。因此如何获得自对准的双栅制造方法一直是半导体晶体管工艺中的难题。
技术实现思路
本专利技术要解决的主要技术问题是，提供，使用该方法能实 现双栅薄膜晶体管的顶栅电极和底栅电极的精确对准。为解决上述技术问题，本专利技术提供，包括步骤A，在衬底的正面依次形成底栅电极、有源区和导电薄膜；步骤B，光刻涂胶时，在所述导电薄膜上涂布光刻胶，光刻曝光时，从所述衬底的背 面进行曝光；步骤C，以步骤B中光刻后形成的光刻胶图形为掩膜，刻蚀所述导电薄膜形成顶栅 电极。上述步骤中，所述底栅电极为不透明材料制成。上述步骤中，所述步骤A中，在所述底栅电极和有源区之间还形成有底栅介质层， 在所述有源区和导电薄膜之间还形成有顶栅介质，步骤C中，同时刻蚀所述导电薄膜和所 述顶栅介质分别形成顶栅电极和顶栅介质层；所述衬底、底栅介质层、有源区、顶栅介质和 导电薄膜为透明材质。上述步骤中，所述步聚A具体包括步骤Al，在衬底的正面生长一层金属薄膜，然后光刻和刻蚀所述金属薄膜形成底 栅电极；步骤A2，在所述衬底和所述底栅电极上生长一层底栅介质层；步骤A3，在底栅介质层上生长一层用于形成有源区的金属氧化物半导体层，紧接 着生长一层有源区保护层薄膜，然后同时光刻和刻蚀所述金属氧化物半导体层和有源区保 护层薄膜形成有源区和有源区保护层，所述有源区中，位于所述底栅电极和顶栅电极正对 的区域为沟道区，所述沟道的两侧分别为源区和漏区；步骤A4，在保护层上生长一层顶栅介质，使顶栅介质覆盖有源区和保护层并延伸到所述底栅介质层上； 步骤A5，在顶栅介质上生长一层用于形成顶栅电极的导电薄膜。上述步骤中，在形成顶部栅电极后，还包括对源区和漏区用等离子进行轰击处理。上述步骤中，所述等离子为氩、氢或氨。上述步骤中，采用氩等离子轰击时的能量为100 200W，气压为0. 1 ITorr上述步骤中，所述底栅电极的材料为铬、钼、钛或铝，所述底栅电极的厚度为 100 300nm ；所述顶栅电极的材料为氧化铟锡或氧化锌铝，厚度为100 300nm ；所述有源 区的材料为氧化锌基或氧化铟基，所述有源区的厚度为50 200nm。上述步骤中，所述底栅介质层和顶栅介质层的材料为氮化硅或氧化硅，厚度为 100 400nm，由化学气相淀积PECVD或磁控溅射的方法生长而成，或者，所述底栅介质层和 顶栅介质层为氧化铝，氧化钽或氧化铪，厚度为100 400nm，用磁控溅射的方法生长而成。本专利技术的有益效果是光刻形成顶栅电极图案的过程中，涂胶时，在用于形成顶栅 电极的透明导电薄膜的正面涂布光刻胶；曝光时，从玻璃衬底的背面进行曝光；由于玻璃 衬底、有源区和导电薄膜具有透光特性，底部栅电极具有遮光特性。因此，曝光时，底部栅电 极起到了天然掩模版的作用。此种方式，一方面省去了另外制造掩模版的成本，另一方面， 由于底部栅电极作为掩模版，刻蚀导电薄膜形成的顶部栅电极与底部栅电极形成精确对 准，减小了寄生元件的产生，提高了器件性能的均勻性。在生长用于形成有源区的金属氧化物半导体层后，立刻在其上生长一层保护介质 层，同时光刻和刻蚀保护介质层和金属氧化物半导体层分别形成保护层和被其保护的有源 区。该保护层虽然最终作为顶栅介质的一部分，相当于顶栅介质紧贴有源区上表面的部分 在制造时与有源区是一同生长的，使得有源区和顶部栅介质的结合效果更好，并且防止在 光刻和刻蚀有源区及制造顶栅介质层时，对有源区上表面的污染和损坏，使器件的性能更 加稳定性。通过对有源区中的源区和漏区进行等离子处理，减少了源区和漏区的寄生电阻。 附图说明图1示出了在衬底上形成底栅电极后的结构图；图2示出了在形成底栅介质层、有源区和有源区保护层后的结构示意图；图3示出了形成顶栅介质层后的结构图；图4示了曝光时的结构示意图；图5示出了刻蚀形成顶栅介质和顶栅电极以及对源漏进行等离子处理的结构示 意图；图6示出了图5去除光刻胶后的结构；图7示出了形成晶体管各电极的接触孔的结构图；图8示出了形成金属电极后的结构图。具体实施例方式下面通过具体实施方式结合附图对本专利技术作进一步详细说明。现有技术中，双栅结构的薄膜晶体管其工艺方法决定了其顶栅电极和底栅电极不可能精确对准，这导致晶本管存在较大的寄生电容，使其性能受到限制。本专利技术在制作底栅 电极时，采用不透光的设计，例如可采用不透光的材料，在制作衬底、顶栅电极以及底栅电 极和顶栅电极之间的各层时采用具有透光特性的设计，例如可采用透光材料或通过厚度的 设计使其具有透光特性；在光刻形成顶栅电极图案时，通过从衬底的背面向上曝光，使底栅 电极起到天然掩模版的作用，提高了最终形成的顶栅电极和底栅电极的对准精度。具体地， 本专利技术形成双栅结构的薄膜晶体管的一种方法可以是 图1示出了在衬底上形成底栅电极后的结构图。衬底1采用玻璃或具有透光特性 的衬底，用磁控溅射或热蒸的方法在衬底1上生长一层厚度为100 300nm的不透明薄膜， 该薄膜的材料可以是铬、钼、钛或铝等；通过光刻或刻蚀该薄膜形成底栅电极2。图2示出了在形成底栅介质层、有源区和有源区保护层后的结构示意图。首先，在 衬底1和底部栅电极2上生长一层绝缘介质薄膜，使其覆盖底部栅电极2并延伸到衬底1 上，例如可以采用等离子增强化学汽相淀积PECVD的方法生长一层100 400nm厚的绝缘 介质薄膜，该绝缘介质薄膜可以是氮化硅薄膜或氧化硅薄膜，该绝缘介质薄膜作为底栅介 质层3，也可以采用磁控溅射法生长一层100 400nm厚的金属氧化物薄膜，其材料可以是 氧化铝，氧化钽或氧化铪等；然后，底栅介质层3上依次淀积一层50 200nm厚的非晶或多 晶的金属氧化物薄膜和20 SOnm厚的金属氧化物薄膜或绝缘介质薄膜，可以采用射频磁 控溅射的方法实现，经光刻和刻蚀分别形成有源区4和有源区保护层5。用于形成有源区的 非晶或多晶的金属氧化物薄膜的材料可以是氧化锌基或氧化铟等，当为氧化铟时，溅射生 长所述氧化铟金属氧化物半导体薄膜所述的陶瓷靶的纯度等于或优于99. 99%。图3示出了形成顶栅介质层后的结构图。在有源区保护层5的表面生长一层 100 400nm厚的介质薄膜，该介质薄膜延伸并覆盖底栅介质层3，生长的方法可以是用磁 控溅射的方法生长一层100 400nm厚的金属氧化物薄膜，其材料可以是氧化铝，氧化钽或 氧化铪等；也可以是用磁控溅射的方法生长一层100 400nm厚的绝缘介质薄膜，其材料可 以是氮化硅或氧化硅；也可以是等离子增强化学汽相淀积PECVD生长一层100 本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种晶体管的制造方法，其特征在于，包括：步骤Ａ，在衬底的正面依次形成底栅电极、有源区和导电薄膜；步骤Ｂ，光刻涂胶时，在所述导电薄膜上涂布光刻胶，光刻曝光时，从所述衬底的背面进行曝光；步骤Ｃ，根据步骤Ｂ中光刻后形成的光刻胶图形刻蚀所述导电薄膜形成顶栅电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张盛东，贺鑫，王龙彦，
申请(专利权)人：北京大学深圳研究生院，
类型：发明
国别省市：94