【技术实现步骤摘要】
本专利技术，涉及半导体装置及其制造方法，以及具有这个半导体装置的显示装置。
技术介绍
做为半导体装置，薄膜晶体管(TFT = Thin-Film Transistor)已为所知，这个薄 膜晶体管(TFT)适合于驱动液晶显示装置或有机EL显示装置等的显示装置而为使用。特别是，沟道区域只由非晶硅(a-Si)等的非晶膜形成的非晶硅薄膜晶体管 (a-SiTFT)使用的最为普遍。在此，所谓的沟道高型薄膜晶体管(以前结构1)，参照放大剖 面图的附图说明图17说明。薄膜晶体管(TFT) 100，具有形成在基板101上的栅电极102、覆盖栅电极 102的栅绝缘膜103、形成在栅绝缘膜103上构成沟道区域的非晶硅层104、在非晶硅层104 上图案形成的η+硅层的源极区域105及漏极区域106、覆盖源极区域105的源电极107、和 覆盖漏极区域106的漏电极108。然而，这个以前的结构1的非晶硅薄膜晶体管，由于沟道区域为非晶膜，移动度为 0. TO. 5Gm2/Vs，导通性较差。相反，通过将栅极绝缘膜用硅氮化膜形成，可以得到与沟道区 域得非晶硅层104之间的良好界面特性，提高接通...
【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其特征在于：包括：在绝缘基板上形成栅电极的第一工序，以覆盖上述栅电极的形式形成栅极绝缘膜的第二工序，形成半导体层和做为包含杂质的半导体层的杂质层的第三工序，蚀刻上述半导体层形成激活层的第四工序，通过蚀刻上述杂质层形成源极区域及漏极区域的第五工序；上述第三工序中，包括以覆盖上述栅极绝缘膜的形式形成第一非晶膜的工序、和以覆盖上述第一非晶膜的形式形成包含晶相的结晶膜的工序。
【技术特征摘要】
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