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本发明提供半导体装置的制造方法，该制造方法包括：在绝缘基板上形成栅电极的第一工序，以覆盖上述栅电极的形式形成栅极绝缘膜的第二工序，形成半导体层和做为包含杂质的半导体层的杂质层的第三工序，蚀刻上述半导体层形成激活层的第四工序，通过蚀刻上述杂质...
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