【技术实现步骤摘要】
本专利技术的领域为半导体器件，更具体地，为包括多个存储器单元的存储器器件。更具体地，本专利技术涉及一种绝缘体上半导体(semiconductor on insulator, SeOI)衬底上的闪存型存储器单元，由具有浮动栅极的场效应晶体管FET形成。本专利技术还涉 及一种包括多个该类型的存储器单元的存储器阵列，以及一种控制该闪存存储器单元的方法。
技术介绍
闪存型存储器单元的结构整体上与常规的MOSFET晶体管的结构相似，除了闪存 晶体管具有两个栅极而不是一个。顶栅极对应于晶体管的控制栅极(对于其他MOS晶体管 的情况也一样)，而另一个栅极，即浮动栅极布置在晶体管的控制栅极和沟道之间。控制栅 极和浮动栅极之间布置有栅极间介电层(inter-gate dielectric layer)，而在浮动栅极 和沟道之间布置有栅极介电层。这些介电层差不多使浮动栅极完全绝缘，电荷能够以特别 持久的方式存储在那里。包括NMOS晶体管的NOR型闪存单元的例子在下面描述。该单元在其静止状态时 等价于逻辑“ 1 ”，因为通过在控制栅极上施加合适的电压，有电流流过沟道。通过实现热电子注...
【技术保护点】
一种闪存存储器单元（１、１０），包括具有浮动栅极（１０、２０）的ＦＥＴ晶体管，所述浮动栅极在绝缘体上半导体衬底上，所述绝缘体上半导体衬底包括通过绝缘（ＢＯＸ）层与基层衬底（５）隔开的半导体材料的薄膜，所述晶体管在所述薄膜中具有沟道（４），其特征在于，所述存储器单元包括两个控制栅极，前控制栅极（１２、２２）布置在浮动栅极（１０、２０）上方并且通过栅极间介电层（１３、２３）与浮动栅极（１０、２０）隔开，背控制栅极（６、３４－３７）布置在基层衬底（５）内直接在绝缘（ＢＯＸ）层下面，从而仅通过绝缘（ＢＯＸ）层与沟道（４）隔开，该两个控制栅极（１０、２０；６、３４－３７）设计为组合使...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：C·马聚尔，R·费朗，
申请(专利权)人：SOITEC绝缘体上硅技术公司，
类型：发明
国别省市：FR
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