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本发明公开了一种具有埋置绝缘层下第二控制栅极的SeOI闪存存储单元。第一方案涉及一种闪存存储器单元,包括具有浮动栅极的FET晶体管,所述浮动栅极在绝缘体上半导体衬底上,所述绝缘体上半导体衬底包括通过绝缘层与基层衬底隔开的半导体材料的薄膜,所...该专利属于S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司所有,仅供学习研究参考,未经过S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司授权不得商用。
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本发明公开了一种具有埋置绝缘层下第二控制栅极的SeOI闪存存储单元。第一方案涉及一种闪存存储器单元,包括具有浮动栅极的FET晶体管,所述浮动栅极在绝缘体上半导体衬底上,所述绝缘体上半导体衬底包括通过绝缘层与基层衬底隔开的半导体材料的薄膜,所...