【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及绝缘栅极场效应晶体管及其使用方法。
技术介绍
功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)通常用作开关，其中该晶体管完全导通或者完全截止。然而，MOSFET还可以用于线性工作区，通过导通并吸收部分线性工作区的电源，通常是使用动态钳位电路，从而自我保护该MOSFET免受过压尖峰，或者短时间限制电流使得有足够时间作出是否将电流切换到安全状态的决定。其他电路也要求工作于线性模式。例如，许多简单的电机诸如风扇电机就以这种方式进行控制。当现代的功率MOSFET，特别是沟槽MOSFET和垂直双扩散MOSFET(VDMOS)工作于线性区域时会出现问题。现代装置通常具有小的单元节距(＜10μm)，且这些装置容易出现热失控(thermal runaway)。小尺寸装置中出现热失控是因为存在临界电流密度Jc，其中高于Jc时，电流密度随温度增大而降低，而当低于Jc时，电流密度随温度增大而增大。如果FET工作于低于该临界电流密度，小幅的温度上升会增大电流密度，该电流密度增大导致温度上升，导致更大的电流密度，这就是热失控。由两个相互竞争的效应决定该临界电流密度Jc的值...
【技术保护点】
一种场效应晶体管电路，包括：具有第一主表面的半导体衬底（２）；布置成跨过该衬底的多个相同的晶体管单元（６），各个晶体管单元包括具有绝缘栅极（３２）、源极（３４）和漏极（３６）的ＦＥＴ（３０）；其中该单元（６）划分成第 一和第二单元（８，１０），第一单元多于第二单元；连接到该第一单元的第一栅线（２０）与连接到该第二单元的分离的第二栅线（４０）；以及用于与该第一栅线（５８）分离地驱动该第二栅线（４０）的装置，用于仅导通该第二单元使其处于线性工 作状态而不导通该第一单元。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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