一种基于SiN埋绝缘层的晶圆级单轴应变SOI的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种基于SiN埋绝缘层的晶圆级单轴应变SOI的制作方法，包括以下步骤：1)SOI晶圆顶层Si层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SOI晶圆两端，距SOI晶圆边缘1cm；3)缓慢旋动连接压杆的螺帽，使SOI晶圆沿弧形台面逐渐弯曲，直至SOI晶圆完全与弧形台面贴合；4)载有SOI晶圆的弧形弯曲台放置在退火炉中进行退火；5)退火结束后缓慢降温至室温，取出载有SOI晶圆片的弧形弯曲台；6)旋动连接压杆的螺帽，将压杆缓慢提升，直至弯曲的SOI晶圆回复原状。本发明专利技术具有如下优点：1)电学性能高；2)热性能良好；3)应变量高；4)表面缺陷少；5)成品率高；6)退火温度范围大；7)制作工艺及设备简单。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微电子
，涉及半导体衬底材料制作工艺技术，具体的说是一种基于SiN(氮化硅)埋绝缘层的单轴应变SOI (Silicon On hsulater，绝缘层上硅)晶圆的制作方法，可用于制作超高速、低功耗、抗辐照半导体器件与集成电路所需的SOI晶圆， 能显著提高传统SOI晶圆的电子迁移率，克服传统双轴应变SOI的高场迁移率退化。与现有单轴应变SOI技术相比，本专利技术具有应变度高、工艺简单、成品率高、成本低等优点。
技术介绍
与体Si技术相比，SOI技术具有速度高、功耗低、集成密度高、寄生电容小、抗辐照能力强、工艺简单等优势，在高速、低功耗、抗辐照等器件与电路领域被广泛应用。随着器件特征尺寸进入亚微米及深亚微米，Si载流子的迁移率限制了器件与电路的速度，无法满足高速高频和低压低功耗的需求。而应变Si的电子和空穴迁移率，理论上将分别是体Si的2倍和5倍，可大大提升器件与电路的频率与速度。目前，应变Si技术被广泛应用于65纳米及以下的Si集成电路工艺中。而结合了应变Si与SOI的应变SOI技术很好地兼顾了应变Si和SOI的特点与技术优势，并且与传统的Si工艺完全兼容，是高速本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郝跃，查冬，戴显英，楚亚萍，孙腾达，杨程，张鹤鸣，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：