发光二极管晶圆的研磨头制造技术

技术编号:7518114 阅读:219 留言:0更新日期:2012-07-12 00:13
本实用新型专利技术涉及一种发光二极管晶圆的研磨头,用于研磨一发光二极管晶圆,其包含一转动轴、一研磨部以及一纳米陶瓷研磨板,其中该转动轴为具有转动自由度而受一主轴驱动而自转以提供一转动动能,该研磨部设于该转动轴的一端,该纳米陶瓷研磨板设于该研磨部上,且该纳米陶瓷研磨板的表面粗糙度为500~10000目之间,据而通过该纳米陶瓷研磨板与该发光二极管晶圆之间的接触转动所产生的黏着磨耗现象,可逐渐剥离该发光二极管晶圆,而减少该发光二极管晶圆的厚度,其于该发光二极管晶圆上不会产生残留应力,因而可避免该发光二极管晶圆研磨后有翘曲的问题,故不须进行抛光,可节省制造程序而降低制造成本。(*该技术在2021年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及发光二极管晶圆,尤其涉及发光二极管晶圆的研磨装置。
技术介绍
请参阅图1所示,发光二极管晶圆1在外延制造完成之后,必须进行晶圆研磨作业,其目的在于去除不需要的堆叠层,并减少厚度,而利于后续的晶圆切割、封装等作业的进行。请再参阅图2所示,已知在进行研磨作业之前,一般为将多个发光二极管晶圆1利用固定腊2黏着固定于一工作台3上,固定腊2的作用在于固定发光二极管晶圆1,以便利研磨作业的进行,且已知发光二极管晶圆1在研磨作业时,为利用研磨装置4进行研磨。已知研磨装置4设有一砂轮5,由于该砂轮5的硬度高于该发光二极管晶圆1的硬度,因此已知为使该砂轮5与该发光二极管晶圆1接触转动,即可通过该砂轮5切割该发光二极管晶圆1的表面,即可通过该砂轮5剪薄该发光二极管晶圆1的厚度。然而在砂轮5剪薄该发光二极管晶圆1的过程中,该砂轮5同时会于该发光二极管晶圆1的表面上形成残留应力,因此,而当研磨结束之后,该发光二极管晶圆1必须额外进行抛光作业以去除残留应力,其目的在于避免发光二极管晶圆1因残留应力而翘曲。显然此已知研磨发光二极管晶圆1的方式,其会于该发光二极管晶圆1上残留应力,因而需要额外进行另一道抛光的程序,以去除残留应力,故其会增加制造程序,而提高制造成本,无法满足使用上的需要。
技术实现思路
于是,本技术的主要目的在于披露一种发光二极管晶圆的研磨头,其用于研磨发光二极管晶圆时,不会产生残留应力,可减少后续制程。基于上述目的,本技术为一种发光二极管晶圆的研磨头,安装于一主轴上,其包含一转动轴、一研磨部以及一纳米陶瓷研磨板,其中该转动轴具有转动自由度并受该主轴驱动而自转以提供一转动动能,该研磨部设置于该转动轴的一端,且该纳米陶瓷研磨板设置于该研磨部上,并且该纳米陶瓷研磨板的表面粗糙度为500 10000目(mesh)之间。进一步地,纳米陶瓷研磨板通过多个螺钉螺锁于研磨部上。据此,由于本技术所采用的该纳米陶瓷研磨板的表面粗糙度为500 10000目之间,其优点在于,在与该发光二极管晶圆接触转动时,会产生黏着磨耗现象,其即可逐渐剥离该发光二极管晶圆,且在减少该发光二极管晶圆的厚度时,并不会于该发光二极管晶圆上残留应力,因而可节省抛光制程的进行,而降低制造成本。附图说明图1为已知发光二极管晶圆结构图。图2为已知发光二极管晶圆研磨示意图。图3为本技术结构图。图4为本技术结构分解图。图5为本技术使用示意图。具体实施方式有关本技术的详细说明及
技术实现思路
,现就配合图式说明如下请参阅图3与图4所示,本技术为一种发光二极管晶圆的研磨头,安装于一主轴10上,其包含一转动轴20、一研磨部21以及一纳米陶瓷研磨板30,其中该转动轴20具有转动自由度并受该主轴10驱动而自转以提供一转动动能。该研磨部21设于该转动轴20的一端,该纳米陶瓷研磨板30为设置于该研磨部21上,在实际实施上,该纳米陶瓷研磨板30可以通过多个螺钉40螺锁于该研磨部21上。另外该纳米陶瓷研磨板30的表面粗糙度,优选实施值为500 10000目之间,且该纳米陶瓷研磨板30的材质可以为选自碳化硅、氮化硅、钻石粉及金钢砂的任一种,且该纳米陶瓷研磨板30 —般为利用粉末冶金的方式,先将材料碎裂形成所需的颗粒大小,再烧结成块形成该纳米陶瓷研磨板30,即可让该纳米陶瓷研磨板30的表面粗糙度满足本技术的需求。请参阅图5所示,本技术在实际用于研磨一发光二极管晶圆50时,该发光二极管晶圆50为先固定于一固定装置60上,为使该纳米陶瓷研磨板30与该发光二极管晶圆50转动接触,据而可使该纳米陶瓷研磨板30与该发光二极管晶圆50之间产生黏着磨耗现象,该黏着磨耗现象可逐渐剥离该发光二极管晶圆50,且该纳米陶瓷研磨板30也会逐渐剥离,因此本技术在减少该发光二极管晶圆50的厚度时,并不会于该发光二极管晶圆50上残留应力。如上所述,本技术使该纳米陶瓷研磨板30与该发光二极管晶圆50之间产生黏着磨耗现象,因此在减少该发光二极管晶圆50厚度的同时,并不会于该发光二极管晶圆50上残留应力,即本技术不须额外进行抛光作业,可以减少制造程序,而降低制造成本,满足使用上的需求。权利要求1.一种发光二极管晶圆的研磨头,安装于一主轴上,其特征在于,所述发光二极管晶圆的研磨头包含一转动轴,所述转动轴具有转动自由度并受所述主轴驱动而自转以提供一转动动能;一研磨部,所述研磨部设置于所述转动轴的一端;以及一表面粗糙度为500 10000目之间的纳米陶瓷研磨板,所述纳米陶瓷研磨板设置于所述研磨部上。2.根据权利要求1所述的发光二极管晶圆的研磨头,其特征在于,所述纳米陶瓷研磨板通过多个螺钉螺锁于所述研磨部上。专利摘要本技术涉及一种发光二极管晶圆的研磨头,用于研磨一发光二极管晶圆,其包含一转动轴、一研磨部以及一纳米陶瓷研磨板,其中该转动轴为具有转动自由度而受一主轴驱动而自转以提供一转动动能,该研磨部设于该转动轴的一端,该纳米陶瓷研磨板设于该研磨部上,且该纳米陶瓷研磨板的表面粗糙度为500~10000目之间,据而通过该纳米陶瓷研磨板与该发光二极管晶圆之间的接触转动所产生的黏着磨耗现象,可逐渐剥离该发光二极管晶圆,而减少该发光二极管晶圆的厚度,其于该发光二极管晶圆上不会产生残留应力,因而可避免该发光二极管晶圆研磨后有翘曲的问题,故不须进行抛光,可节省制造程序而降低制造成本。文档编号B24B37/20GK202317968SQ20112041126公开日2012年7月11日 申请日期2011年10月25日 优先权日2011年10月25日专利技术者陈孟端 申请人:正恩科技有限公司本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:陈孟端
申请(专利权)人:正恩科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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