分离设备制造技术

一种分离设备包括：基座、设于该基座上以承载物件的承载件、以及设于该承载件上方的供气装置，且该供气装置具有直接供气至该物件的气嘴，以易于控制该供气装置的气体压力。

【技术实现步骤摘要】
分离设备
本技术关于一种分离设备，尤指一种用于劈裂工艺的分离设备。
技术介绍
现有半导体制备工艺中，晶片于制造完成后，会进行薄化工艺、切单工艺、封装工艺等，其中，切单工艺的方式繁多，例如、激光切割、机械切割、劈裂分离等。如图1A及图1B所示，现有劈裂式分离设备1包括：一机台本体(图略)、一设于该机台本体下侧的基座10、一设于该机台本体上侧的劈裂装置12、以及一设于该基座10上的贴膜13。于进行劈裂作业时，先将一具有多个预切割道80的晶片8黏贴于该贴膜13上，再将该劈裂装置12的劈刀120对位于其中一预切割道80上，并利用该劈裂装置12的震动件121撞击该劈刀120，使该劈刀120碰触该晶片8对应该预切割道80的背面位置A，以令该晶片8沿该预切割道80裂开(如裂痕S)。之后重复上述该劈裂装置12的劈裂步骤，以于该晶片8背面的直向与横向上劈裂各该预切割道80，使该晶片8分离成多个晶粒8a。然而，现有劈裂装置12是使用该劈刀120劈裂该晶片8，故当该劈裂装置12由该晶片8的中间处劈裂至该晶片8的边缘处时，该劈刀120与该贴膜13的边缘处的铁环会因相碰而损坏，且该劈刀120于长期使用后会有钝化的情况而产生无法有效劈裂的问题。此外，虽第I441251号台湾专利揭露使用高压气体劈裂晶片，但其气体冲击气囊后再间接作用至该晶片上，导致气体于该气囊中的压力不易控制，且气囊于长期使用后会有破损的情况而产生漏气致使无法有效劈裂的问题。因此，如何克服现有技术的种种问题，实为一重要课题。
技术实现思路
为解决上述现有技术的问题，本技术遂揭露一种分离设备，使得供气装置不会与承载件因相碰而损坏。本技术的分离设备包括：基座；承载件，其设于该基座上以承载物件；以及供气装置，其位于该承载件上方且具有直接供气至该物件的气嘴。前述的分离设备中，该承载件可为黏性片体。前述的分离设备中，该黏性片体为离形胶片、紫外线胶带或热分离胶带。前述的分离设备中，该供气装置为劈裂装置。前述的分离设备中，该供气装置还具有遮挡部，其对应该气嘴作设置。前述的分离设备中，还包括具有开口的固定件，其固定该承载件，以令该承载件遮盖该开口。例如，该固定件为环体。前述的分离设备中，该固定件设于该承载件上。由上可知，本技术的分离设备中，主要通过该供气装置直接供应气体压力至该物件，故相较于现有技术，该供气装置不会与该承载件因相碰而损坏，且无需藉由气囊间接传递撞击力至该物件，因而使用者易于控制该供气装置的气体压力，并因无需使用气囊而能没有现有气囊发生漏气的问题。附图说明图1A为现有分离设备的剖面示意图；图1B为图1A的局部放大示意图；图2A为本技术的分离设备的侧视示意图；以及图2B为图2A的局部放大示意图。其中，附图标记说明如下：1、2分离设备10、20基座12劈裂装置120劈刀121震动件13贴膜21固定件210开口22供气装置220气嘴221遮挡部23承载件8、9晶片8a、9a晶粒80、90预切割道A背面位置S裂痕。具体实施方式以下通过特定的具体实施例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本技术的其他优点及功效。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”及“一”等的用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当也视为本技术可实施的范畴。图2A及图2B为本技术的分离设备2的示意图。如图2A所示，该分离设备2包括：一机台本体(图略)、一设于该机台本体下侧的基座20、一固定件21、固定于该固定件21上以遮盖该开口210的承载件23、以及一设于该机台本体上侧的供气装置22。所述的固定件21设于该机台本体上并位于该基座20与该供气装置22之间。于本实施例中，该固定件21为导体环(例如，金属环，如铁环)或绝缘环。例如，该固定件21具有一开口210，使该基座20位于该固定件21的开口210内。所述的承载件23设于该基座20上以承载一物件(如图2B所示的具预切割道90的晶片9)。此外，承载件23上设有固定件21以固定该承载件23，以令该承载件23遮盖该开口210。于本实施例中，该承载件23为黏性片体，例如，离形胶片(releasetape)、紫外线胶带(UVtape)或热分离胶带(thermaltape)等。所述的供气装置22位于该承载件23上方且具有直接供气至该物件的气嘴220，使该物件分离成多个物体(如图2B所示的晶粒9a)。于本实施例中，该供气装置22为劈裂装置，以提供适当的气体压力至该晶片9上而产生劈裂效果。于进行分离作业时，先将一具有多个预切割道90的晶片9黏贴于该承载件23上，再将该供气装置22的气嘴220对位于其中一预切割道90上，并利用该气嘴220提供气体压力至该晶片9对应该预切割道90的背面位置A上，使该晶片9沿该预切割道90裂开(如裂痕S)。之后重复上述该供气装置22的劈裂步骤，以于该晶片9背面的直向与横向上劈裂各该预切割道90，使该晶片9分离成多个晶粒9a。因此，本技术的分离设备2通过该供气装置22直接供应气体压力至该晶片9，以当该供气装置22由该晶片9的中间处劈裂至该晶片9的边缘处时，该气嘴220不会接触碰撞该承载件23的边缘处(或该固定件21)，故能避免该供气装置22及该承载件23(或该固定件21)因相碰而损坏，且该气嘴220于长期使用后不会有撞坏或钝化的情况而产生无法有效劈裂的问题。此外，该供气装置22直接供气至该晶片9，而无需通过气囊间接传递撞击力至该晶片9，故相较于现有技术，使用者易于控制该供气装置22的气体压力，且因无需使用气囊而没有现有气囊发生漏气的问题。另外，如图2B所示，该供气装置22还具有一遮挡部221，其对应该气嘴作设置，例如位于该气嘴220的周围，其中，该遮挡部221例如为导流罩或管件等。于进行分离作业时，将该遮挡部221布设于该晶片9上且位于其中一预切割道90上，以当该气嘴220的气体压力吹至该背面位置A上时，气体不会朝旁侧分流而影响其它预切割道90，故该遮挡部221能集中该气体，使该气嘴220的气体压力呈最佳化，因而能一次针对单一预切割道90进行劈裂，而不会破坏周围的预切割道90的应力结构。因此，通过该遮挡部221的设计，能确保尚未劈裂的预切割道90的应力完整性，故能使用相同的气体压力劈裂每一预切割道90，因而便于控制该供气装置22，以利于缩短分离作业的时程(无需每劈裂一预切割道90就调整一次气体压力)。上述实施例仅用以例示性说明本技术的原理及其功效，而非用于限制本技术。任何本领域技术人员均可在不违背本技术的精神及范畴下，对上述实施例进行修改。因此本技术的权利保护范围，应如权利要求书所列。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种分离设备，其特征为，该分离设备包括：基座；承载件，其设于该基座上以承载物件；以及供气装置，其位于该承载件上方且具有直接供气至该物件的气嘴。

【技术特征摘要】
1.一种分离设备，其特征为，该分离设备包括：基座；承载件，其设于该基座上以承载物件；以及供气装置，其位于该承载件上方且具有直接供气至该物件的气嘴。2.如权利要求1所述的分离设备，其特征为，该承载件为黏性片体。3.如权利要求2所述的分离设备，其特征为，该黏性片体为离形胶片、紫外线胶带或热分离胶带。4.如权利要求1所述的分离设备，其特征为，该供...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈孟端，
申请(专利权)人：正恩科技有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾,71