【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电子
，特别是涉及一种I/O电路和集成电路。
技术介绍
I/O (Input and Output)电路对于芯片而言是不可缺少的，它在整个芯片中担任着传输信号、供电和ESD(Electro-Matic discharge，静电释放)保护等作用。由于芯片功能不断趋于复杂化，芯片规模不断扩大，功耗要求也越来越高，所以对于芯片I/O电路的性能、功耗和面积方面的要求也越来越高。参照图1，为现有技术的I/O电路结构图。如图1所示，现有的I/O电路中，控制 PMOS驱动管和NMOS驱动管的控制信号Net P和Net N分别来自于升压模块的同一端口(图 1中均来自反相端口 ON)，该控制信号Net P和Net N分别通过两条结构对称的通路去控制 PMOS驱动管和NMOS驱动管工作。图1所示I/O电路的控制信号Net P和Net N之间的包络关系有图2和图3所示两种情况。由图2和图3可知，现有技术中，由于控制信号Net P和Net N来自升压模块的同一端口，且经过两条结构完全对称的通路分别去控制PMOS驱动管和NMOS驱动管工作，使得控制信号Net P和N...
【技术保护点】
１．一种Ｉ／Ｏ电路，其特征在于，所述电路包括：升压模块、Ｐ通路、Ｎ通路、ＰＭＯＳ驱动管、以及ＮＭＯＳ驱动管；所述升压模块正相端口的输出信号的上升沿缓慢于下降沿；所述ＰＭＯＳ驱动管的栅极通过Ｐ通路接所述升压模块的正相端口；所述ＮＭＯＳ驱动管的栅极通过Ｎ通路接所述升压模块的反相端口；所述Ｐ通路包括依次串联的奇数个反相器；所述Ｎ通路包络依次串联的偶数个反相器。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种I/O电路，其特征在于，所述电路包括升压模块、P通路、N通路、PMOS驱动管、 以及NMOS驱动管；所述升压模块正相端口的输出信号的上升沿缓慢于下降沿；所述PMOS驱动管的栅极通过P通路接所述升压模块的正相端口 ；所述NMOS驱动管的栅极通过N通路接所述升压模块的反相端口；所述P通路包括依次串联的奇数个反相器；所述N通路包络依次串联的偶数个反相器。2.根据权利要求1所述的I/O电路，其特征在于，所述升压模块包括第一PMOS管、第二 PMOS管、第一 NMOS管、第二 NMOS管、第六反相器；其中，所述第一 PMOS管的源极和第二 PMOS管的源极短接，一同接高压电源； 所述第一 PMOS管的漏极和所述第二 PMOS管的栅极短接，作为所述升压模块的反相端Π ；所述第二 PMOS管的漏极和所述第一 PMOS管的栅极短接，作为所述升压模块的正相端Π ；所述第一 NMOS管的漏极接所述升压模块的反相端口 ；所述第二 NMOS管的漏极接所述升压模块的正相端口；所述第一 NMOS管的源极和所述第二 NMOS管的源极短接，一同接地； 所述第一 NMOS管的栅极接所述第六反相器的输入端，所述第六反相器的输出端接所述第二 NMOS管的栅极；所述第一 NMOS管的栅极与所述第六反相器的公共端作为所述升压模块的输入端口。3.根据权利要求2所述的I/O电路，其特征在于，所述第一NMOS管和第二 NMOS管的尺寸大于所述第一 PMOS管和第二 PMOS管的尺寸。4.根据权利要求1至3任一项所述的I/O电路，其特征在于，所述升压模块包括若干个升压子模块；所述若干个升压子模块的输入端口短接；任一升压子模块的正相端口作为所述升压模块的正相端口 ；任一升压子模块的反相端口作为所述升压模块的反相端口。5.根据权利要求1至3任一项所述的I/O电路，其特征在于，所述P通路包括的奇数个反相...
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