一种可改善硫族半导体薄膜性能的水热处理方法技术

本发明专利技术涉及一种可改善软化学法制备硫族半导体薄膜性能的处理方法，特别涉及一种通 过在硫或硒离子水溶液中进行水热处理以改善软化学法制备硫族半导体薄膜性能的处理方 法。该方法首先配制浓度为0.01～0.3M的硫或硒离子水溶液，然后将该溶液倒入水热釜中并 将用化学浴、连续离子层吸附反应法或电沉积这些软化学法沉积的硫族半导体薄膜放置在溶 液中，最后在160-240℃下对薄膜进行水热处理。与以往传统的400℃以上高温下，在H2S、 H2Se、惰性气氛或真空中对薄膜进行热处理的方法相比，本发明专利技术反应温度低，污染小，设备 简单，适合多种基底表面，可以显著提高薄膜的结晶度和改善薄膜的光电等性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种可改善薄膜性能的热处理方法，涉及一种可改善软化学法制备的硫族薄 膜性能的处理方法，特别涉及到一种通过在硫或硒离子水溶液中进行水热处理以改善软化学 法制备的硫族薄膜性能的处理方法。
技术介绍
以CdS、 CuInS2、 CuInSe2为代表的硫族半导体薄膜材料在薄膜太阳能电池、光电导体， 传感器中具有重要应用，特别是在极薄吸收层ETA (Extremely Thin Absorber)太阳能电池领 域，由于其特有的高吸收系数和化学稳定性，可以作为高效的吸附层来提高ETA电池的转换 效率，其制备与应用技术一直受到人们的普遍重视并正在迅速发展。在ETA电池中，吸附层与多孔电极表面的接触需要通过温和的工艺条件来实现，否则 容易形成缺陷降低电池效率。为达到降低制备成本、縮短反应时间、实现在纳米多孔基底上 沉积等技术要求，人们把化学浴(CBD)、连续离子层吸附反应法(SILAR)、电化学沉积法(ED) 等方法归结为软化学方法并用来制备硫族半导体薄膜。但由于化学法成膜本身存在附着力差、 不均匀、晶型不完善的缺点，沉积制备的薄膜通常需要在高温(40(TC以上)，在HA、 H2Se本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可改善硫族半导体薄膜性能的水热处理方法，其特征在于硫族半导体薄膜的水热处理方法分为三个步骤：　（１）、将不同质量的Ｎａ↓［２］Ｓ、Ｎａ↓［２］ＳｅＳＯ↓［３］与水加入到容器中，搅拌５－３０分钟，得到浓度为０．０１～０．３Ｍ的均匀硫或硒离子溶液；　（２）、将５０～１５０ｍｌ的上述硫或硒离子溶液倒入水热釜，把在不同基底为玻璃、ＴｉＯ↓［２］多孔基底、ＺｎＯ多孔基底、ＩＴＯ玻璃、硅片上用化学浴、连续离子层吸附反应法、电沉积法这些软化学法沉积的硫族半导体薄膜为ＭｎＳ、ＣｄＳ、ＰｂＳ、ＣｕＩｎＳ↓［２］、ＣｕＩｎＳｅ↓［２］垂直放入到该溶液中，应保证溶液完全没过所需处理的薄膜表面；　（３）、将水热釜...

【技术特征摘要】
1、一种可改善硫族半导体薄膜性能的水热处理方法，其特征在于硫族半导体薄膜的水热处理方法分为三个步骤(1)、将不同质量的Na2S、Na2SeSO3与水加入到容器中，搅拌5-30分钟，得到浓度为0.01～0.3M的均匀硫或硒离子溶液；(2)、将50～150ml的上述硫或硒离子溶液倒入水热釜，把在不同基底为玻璃、TiO2多孔基底、ZnO多孔基底、ITO玻璃、硅片上用化学浴、...

【专利技术属性】
技术研发人员：石勇，薛方红，李春艳，薛冬峰，王立秋，
申请(专利权)人：石勇，薛方红，李春艳，薛冬峰，王立秋，
类型：发明
国别省市：91