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本发明涉及一种可改善软化学法制备硫族半导体薄膜性能的处理方法,特别涉及一种通 过在硫或硒离子水溶液中进行水热处理以改善软化学法制备硫族半导体薄膜性能的处理方 法。该方法首先配制浓度为0.01~0.3M的硫或硒离子水溶液,然后将该溶液倒入水热...该专利属于石勇;薛方红;李春艳;薛冬峰;王立秋所有,仅供学习研究参考,未经过石勇;薛方红;李春艳;薛冬峰;王立秋授权不得商用。
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本发明涉及一种可改善软化学法制备硫族半导体薄膜性能的处理方法,特别涉及一种通 过在硫或硒离子水溶液中进行水热处理以改善软化学法制备硫族半导体薄膜性能的处理方 法。该方法首先配制浓度为0.01~0.3M的硫或硒离子水溶液,然后将该溶液倒入水热...