半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法技术

本发明专利技术涉及半导体发光器件以及半导体发光器件的制造方法。一种半导体发光器件具有支撑衬底、发光元件和底部填充材料。所述发光元件包括在所述支撑衬底上通过凸起而接触的基于氮化物的III-V族化合物半导体层。所述底部填充材料被设置在所述支撑衬底与所述发光元件之间，所述底部填充材料包括肋部，所述肋部被设置在所述发光元件的端面的外侧以围绕所述发光元件的所述端面。

【技术实现步骤摘要】

本实施例涉及使用基于氮化物的III-V族化合物半导体的。
技术介绍
可以通过在蓝宝石衬底、SiC衬底等等上进行基于氮化物的III-V族化合物半导体的晶体生长来制造诸如激光二极管(LD)和发光二极管(LED)的光学器件。作为该类型的光学器件的技术问题，需要改善散热性能和光提取效率。当在其中流过大电流时，该类型的光学器件难以稳定地操作。近期，提出了旨在更高的光提取效率的半导体发光器件，其中通过倒装芯片(flip-chip)安装将形成在蓝宝石衬底上的III-V化合物半导体安装在子安装 (sub-mount)衬底上，然后用底部填充(underfill)材料固定化合物半导体，然后使蓝宝石衬底从半导体剥离，之后处理化合物半导体的上表面以形成粗糙的表面。然而，当将底部填充材料附接到蓝宝石衬底的侧面时，激光剥离方法需要过量的力来剥离蓝宝石衬底。因此要关注到以下方面，即，当用力剥离蓝宝石衬底时化合物半导体会开裂。出于该原因，已经提出了一种技术，其中底部填充材料未附接到蓝宝石衬底的侧面(参见文件 1 =JP-A 2008-140873(特开))。然而，在专利文件1中，虽然底部填充材料未附接到蓝宝石衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体发光器件，包括：支撑衬底；发光元件，其包括在所述支撑衬底上通过凸起而接触的基于氮化物的ＩＩＩ－Ｖ族化合物半导体层；以及底部填充材料，其被设置在所述支撑衬底上以接触所述支撑衬底、所述发光元件以及所述凸起，所述底部填充材料包括肋部，所述肋部被设置在所述发光元件的端面的外侧以围绕所述发光元件的所述端面。

【技术特征摘要】
2010.03.09 JP 052209/20101.一种半导体发光器件，包括 支撑衬底；发光元件，其包括在所述支撑衬底上通过凸起而接触的基于氮化物的III-V族化合物半导体层；以及底部填充材料，其被设置在所述支撑衬底上以接触所述支撑衬底、所述发光元件以及所述凸起，所述底部填充材料包括肋部，所述肋部被设置在所述发光元件的端面的外侧以围绕所述发光元件的所述端面。2.根据权利要求1的器件，还包括包含荧光剂材料的第一树脂，所述第一树脂被设置在所述底部填充材料上和所述肋部的内侧以至少覆盖所述发光元件的所述端面的一部分。3.根据权利要求2的器件，还包括封装，所述封装覆盖所述发光元件的所有表面和所述肋部的外侧端面的内侧，所述封装由包含荧光剂材料的第二树脂材料构成。4.根据权利要求1的器件，其中所述底部填充材料为具有D60到D85的硬度和0.8到 14Pa · s的粘度的基于环氧的树脂。5.根据权利要求1的器件，其中所述肋部具有锥形形状，在所述锥形形状中所述肋部的截面积朝向所述发光元件连续变小。6.根据权利要求1的器件，其中所述肋部的内侧壁被设置为与所述发光元件的侧壁平行相对。7.根据权利要求1的器件，其中所述底部填充材料被紧密地设置到所述支撑衬底、所述凸起和所述发光元件。8.根据权利要求1的器件，其中所述发光元件包括ρ型电极和η型电极，所述ρ型电极和所述η型电极均被设置在所述支撑衬底的相反的表面中的一个表面上或另一个表面上， 所述P型电极和所述η型电极通过分离的凸起而与所述支撑衬底接触。9.根据权利要求1的器件，其中在所述发光元件的与所述支撑衬底相反的表面上设置经粗糙处理的光提取表面。10.一种半导体发光器件的制造方法，包括以下步骤在剥离目标衬底上形成基于氮化物的III-V族化合物半导体层； 以发光器件为单位使所述剥离目标衬底和所述基于氮化物的III-V族化合物半导体层孤立化以形成多个发光元件；用保护膜覆盖所述发光元件的所有端面，同时使所述多个...

【专利技术属性】
技术研发人员：后藤田徹，名古肇，冈俊行，财满康太郎，布上真也，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP