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本发明涉及半导体发光器件以及半导体发光器件的制造方法。一种半导体发光器件具有支撑衬底、发光元件和底部填充材料。所述发光元件包括在所述支撑衬底上通过凸起而接触的基于氮化物的III-V族化合物半导体层。所述底部填充材料被设置在所述支撑衬底与所述...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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