发光器件和具有发光器件的发光器件封装制造技术

本发明专利技术公开了一种发光器件和具有发光器件的发光器件封装。发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第一导电半导体层下面的有源层、以及有源层下面的第二导电半导体层；电极层，该电极层在第二导电半导体层下面；电极，该电极包括与第一导电半导体层的底表面的一部分接触的顶表面；以及绝缘构件，该绝缘构件用于覆盖电极的外围表面，其中，绝缘构件的一部分从电极的底表面延伸到第二导电半导体层和电极层之间的区域。

Light emitting device and light-emitting device package having the same

A light emitting device and a light emitting device package having a light emitting device are disclosed. Light emitting device includes a light emitting structure, the light emitting structure includes a first conductive semiconductor layer, a first conductive semiconductor layer under the active layer and the active layer below the second conductive semiconductor layer; the electrode layer and the electrode layer on the second conductive semiconductor layer below; electrode, a top surface of the contact part of the bottom surface includes a first conductive pole and the semiconductor layer; and an insulating member, the insulating member for peripheral surface covered electrode wherein a portion of the insulating member extending from the bottom surface of the electrode to the second conductive semiconductor layer and the electrode layer between the region.

【技术实现步骤摘要】
发光器件和具有发光器件的发光器件封装
本专利技术涉及发光器件和具有发光器件的发光器件封装。
技术介绍
由于其物理和化学特性，III-V族氮化物半导体已经被广泛地用作用于诸如发光二极管(LED)或者激光二极管(LD)的发光器件的主要材料。通常，III-V族氮化物半导体包括具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。LED是通过使用化合物半导体的特性将电信号转换为红外线或者光线，从而发送/接收信号的半导体器件。LED被用作光源。使用氮化物半导体材料的LED或LD主要用于发光器件以提供光。例如，LED或LD被用作用于诸如蜂窝电话的键区发光部分、电子标识牌、以及照明装置的各种产品的光源。
技术实现思路
本专利技术提供包括与第一导电半导体层的内部部分接触的电极的发光器件，以及具有发光器件的发光器件封装。本专利技术提供包括与第一导电半导体层的横向侧接触的第一电极和在第二导电半导体层下面的电极层的发光器件，以及具有发光器件的发光器件封装。本专利技术提供一种发光器件，包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第一导电半导体层下面的有源层、以及有源层下面的第二导电半导体层；第一电极层，该第一电极层在第二导电半导体层下面；电极，该电极包括与第一导电半导体层的底表面的一部分接触的顶表面；支撑构件，该支撑构件在第一电极层下面；以及绝缘构件，该绝缘构件用于覆盖电极的外围表面，其中，该绝缘构件的一部分从电极的底表面延伸到在第二导电半导体层和第一电极层之间的区域。本专利技术提供一种发光器件，包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第一导电半导体层下面的有源层、以及有源层下面的第二导电半导体层；电极层，该电极层在第二导电半导体层下面；电极，该电极包括与第一导电半导体层的底表面的一部分接触的顶表面，该顶表面被部分地开口；支撑构件，该支撑构件在电极层下面；绝缘构件，该绝缘构件用于绝缘电极的外围表面；电流扩散层，该电流扩散层在第一导电半导体层上；以及至少一个接触电极，所述至少一个接触电极连接所述电极和电流扩散层。本专利技术提供一种发光器件封装，包括：主体；主体上的多个引线电极；发光器件，该发光器件在至少一个引线电极上，并且被电气地连接到引线电极；以及成型构件，该成型构件用于成型发光器件，其中发光器件包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、第一导电半导体层下面的有源层、以及有源层下面的第二导电半导体层；第一电极层，该第一电极层在第二导电半导体层下面；电极，该电极包括与第一导电半导体层的底表面的一部分接触的顶表面；以及绝缘构件，该绝缘构件用于覆盖电极的外围表面，其中，所述绝缘构件的一部分从电极的底表面延伸到在第二导电半导体层和第一电极层之间的区域。附图说明图1是示出根据第一实施例的发光器件的侧截面图；图2至图7是示出用于制造根据实施例的发光器件的程序的截面图；图8是示出根据图1中所示的发光器件修改的发光器件的截面图；图9是示出根据第二实施例的发光器件的截面图；图10和图11是示出根据第三实施例的发光器件的视图；图12是示出根据第四实施例的发光器件的侧截面图；图13是图12的平面图；图14是根据图13修改的平面图；图15是根据图13修改的平面图；图16是示出根据第五实施例的发光器件的侧截面图；图17是示出根据第六实施例的发光器件的侧截面图；图18是示出根据第七实施例的发光器件的侧截面图；图19是示出根据第八实施例的发光器件的侧截面图；图20是示出根据第九实施例的发光器件的侧截面图；图21是示出根据第十实施例的发光器件的侧截面图；图22是示出根据实施例的具有发光器件的发光器件封装的截面图；图23是示出根据实施例的显示装置的透视图；图24是示出根据另一实施例的显示装置的截面图；以及图25是示出根据实施例的照明装置的透视图。具体实施方式在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一基板、另一层(或膜)、另一区域、另一垫或另一图案“上”或“下”时，它能够“直接”或“间接”在另一基板、层(或膜)、区域、垫或图案上，或者也可以存在一个或多个中间层。已经参考附图描述了这样的层的位置。在下文中，将会参考附图描述实施例。为了方便或清楚起见，附图中所示的每层的厚度和尺寸可以被夸大、省略、或示意性绘制。另外，元件的尺寸没有完全反映真实尺寸。图1是根据第一实施例的发光器件的截面图。参考图1，根据实施例的发光器件100包括第一导电半导体层110、有源层120、第二导电半导体层130、电极层140、导电支撑构件150、绝缘构件160、电流扩散层112、以及电极170。发光器件可以包括采用诸如III-V族化合物半导体层的多个化合物半导体层的LED。LED可以发射具有可视光线带的绿色、蓝色或者红色的光，或者可以发射具有紫外线带的光。能够通过各种半导体从LED发射光，并且实施例不限于半导体的类型。发光器件100包括发光结构。发光结构包括第一导电半导体层110、有源层120、以及第二导电半导体层130。发光结构包括III-V氮化物半导体，该III-V氮化物半导体包括具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。第一导电半导体层110可以包括被掺杂有第一导电掺杂物的III-V族化合物半导体。例如，第一导电半导体层110可以包括GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP或者AlGaInP。如果第一导电半导体层110是N型半导体层，那么第一导电掺杂物是诸如Si、Ge、Sn、Se、或者Te的N型掺杂物。第一导电半导体层110可以具有单层结构或者多层结构，但是实施例不限于此。电极170被设置在第一导电半导体层110的一侧下面。电极170可以包括电极焊盘或者包括电极焊盘的电极图案。电极图案能够以臂的形式而被分支。通过使用Ti、Al、Al合金、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag、Ag合金、Au、Hf、Pt、Ru、Au以及其合金中的至少一个，可以将电极170制备为单层或者多层。粗糙部或者图案能够被形成在第一导电半导体层110上，以提高光提取效率。电流扩散层112被形成在第一导电半导体层110上。电流扩散层112可以包括透射导电层。例如，电流扩散层112可以包括从由ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、AZO(铝锌氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、以及GZO(镓锌氧化物)组成的组中选择的一个。电流扩散层112能够被省略，但是实施例不限于此。由于电极170接触第一导电半导体层110的下表面，电极170基本不干扰在垂直方向(芯片表面方向)中前进的光子。绝缘构件160被形成在除了电极170的顶表面之外的电极170周围，以防止电极170电气地接触其它层。绝缘构件160可以包括诸如SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4或者Al2O3的绝缘材料。绝缘构件160包括下部分161、外部分162、以及支撑部分165。下部分161被插入在电极170和电极层140之间，外部分本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、所述第一导电半导体层下面的有源层、以及所述有源层下面的第二导电半导体层，其中，所述第一导电半导体层包括最上边的表面；电极层，所述电极层在所述第二导电半导体层下面；电极，所述电极与所述最上边的表面下方的所述第一导电半导体层接触；以及绝缘构件，所述绝缘构件覆盖所述电极的外围表面的至少一部分，其中，所述绝缘构件在所述第二导电半导体层和所述电极层之间延伸。

【技术特征摘要】
2010.02.08 KR 10-2010-00117031.一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、所述第一导电半导体层下面的有源层、以及所述有源层下面的第二导电半导体层，其中，所述第一导电半导体层包括最上边的表面；绝缘层，所述绝缘层形成在所述发光结构的周围；第一电极层，所述第一电极层电气地连接到所述第一导电半导体层且在所述最上边的表面下方；第二电极层，所述第二电极层电气地连接到所述第二导电半导体层，并且所述第二电极层包括反射层和欧姆层，所述欧姆层形成在所述第二导电半导体层下面，所述反射层形成在所述欧姆层下面；以及绝缘构件，所述绝缘构件形成在所述反射层下面，其中，所述第一电极层进一步包括垂直地向上突出穿过所述第二电极层、所述第二导电半导体层以及所述有源层的接触电极以接触所述第一导电半导体层的内部底表面，其中，所述绝缘构件包括外部部分，所述外部部分形成在除了所述第一电极层的接触电极的顶表面之外的第一电极层周围，以使所述第一电极层与所述反射层、所述欧姆层、所述第二导电半导体层以及所述有源层绝缘，以及其中，所述绝缘构件的外部部分包围所述欧姆层和所述反射层，并且所述绝缘构件的外部部分直接接触所述欧姆...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁焕熙，李尚烈，文智炯，宋俊午，崔光基，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR