A semiconductor memory device having open bit line memory structure, removed from the edge of the false memory block, the semiconductor memory device includes a memory block; sense amplifier includes a first edge sense amplifying block, the first sense amplifier has a first bit line and the complementary bit line, the first and the first amplifying circuit. The first amplifier circuit includes a first transistor having a first dimension; including second sense amplifier the central sense amplifying block the second sense amplifier has second lines, second complementary bit lines and second amplifier circuit, the second amplifier circuit includes a second transistor, the second transistor is different from the size of the first second dimensions; and a capacitor, which is electrically connected to the edge of the sense amplifier block.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思的实施例涉及半导体存储器件。更具体地,本专利技术构思的实施例涉及 去除了伪边缘存储块的半导体存储器件。
技术介绍
半导体存储器件可以根据存储单元类型和/或若干布局或结构特征来分类或识 别。一些半导体存储器件根据它们的组成部分位线感测放大器(bitlinesense amplifier, BLSA)的类型(或结构)来分类或识别。例如,半导体存储器件可以依据它们的组成部分存 储单元的结构而被命名为8F2、6F2等,也可以根据它们的组成部分BLSA的结构而被分类为 开放式BLSA(open BLSA)类型或折叠式BLSA(folded BLSA)类型。增加半导体器件的集成密度的过程一般要求减少各个元件的尺寸和/或更密集 地布局元件排列(arrangement)。例如,根据存储单元类型而言,6F2类型的半导体存储器 件的集成密度大于8F2类型的半导体存储器件。根据BLSA结构而言,折叠式BLSA类型的 集成密度大于开放式BLSA类型的集成密度。可是,当使用6F2类型存储单元结构时,无法 使用折叠式BLSA类型半导体存储器件,相反,能够使用开放式BLSA类型 ...
【技术保护点】
1.一种具有开放式位线存储器结构的半导体存储器件,包括:存储块,包括存储单元排列;包括第一感测放大器的边缘感测放大块,该第一感测放大器包括第一位线、第一互补位线以及第一放大电路,该第一放大电路包括具有第一尺寸的第一晶体管;包括第二感测放大器的中央感测放大块,该第二感测放大器包括第二位线、第二互补位线以及第二放大电路,该第二放大电路包括第二晶体管,该第二晶体管具有不同于第一尺寸的第二尺寸;和电容器块,其电连接到该边缘感测放大块。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:李哲宇,张星珍,郭镇锡,高兑荣,金正烈,金尚玧,朴祥均,李祯培,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:KR
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