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一种具有开放式位线存储器结构的半导体存储器件，从中去除了边缘伪存储块，该半导体存储器件包括：存储块；包括第一感测放大器的边缘感测放大块，该第一感测放大器具有第一位线、第一互补位线、以及第一放大电路，该第一放大电路包括具有第一尺寸的第一晶体管...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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