一种基于高功率脉冲磁控溅射的离化率可控镀膜设备制造技术

一种基于高功率脉冲磁控溅射的离化率可控镀膜设备，所述镀膜设备包括：真空溅射体系、低压直流电源体系、高压脉冲电源体系、PLC中央控制体系和计算机；低压直流电源体系为真空体系提供低压电流，高压脉冲电源体系为真空体系提供高压脉冲电流；PLC中央控制体系对真空体系、低压直流电源体系、高压脉冲电源体系进行控制，所述PLC与计算机实现数据的传送与控制。本发明专利技术的有益效果是：1）预置直流电压，有效降低了脉冲电流迟滞时间；2）耦合入直流磁控溅射，有效保证了薄膜沉积速率；3）建立一种等离子体离化率可调的HIPIMS磁控溅射技术，为相关科学的研究提供了技术支持。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种在磁控溅射耦合电压模式下，等离子体离化率可调的HIPIMS磁 控溅射设备。
技术介绍
磁控溅射作为一项极具优势的物理气相沉积技术，在微电子、光学薄膜及材料表 面处理等多个领域获得了广泛应用。但由于离化率较低，这种技术在提高薄膜质量方面也 存在一定的局限性，表现为制备工艺的不稳定和较差的膜基结合力。提高等离子体离化率，增加成膜过程的可控性一直是表面领域工程应用的重大 需求。高功率密度脉冲磁控溅射(HIPIMS)就是在这种背景下发展起来的新型表面改性技 术，是表面工程研究30年历史上最有意义的突破，对现代薄膜制备与精确控制的发展具有 巨大的推动作用。在HIPIMS中，高能量的脉冲作用可以使磁控靶周围的电子密度达到 1019m 3，电子的高密度增加了溅射原子与高能电子的电离碰撞几率，由此获得了高离化的 溅射材料粒子，可将金属等离子体的离化率由5%提高到80%以上。由于控制和影响入射粒 子荷能状态和空间分布的手段主要是电、磁场，因此，提高等离子体离化率，使中性不可控 粒子转变为离子，将有利于人为干预成膜过程，而获得高品质薄膜。如图1所示，在现有技术中，高功率脉冲电源是HI本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种基于高功率脉冲磁控溅射的离化率可控镀膜设备，其特征为，所述镀膜设备包括：真空溅射体系、低压直流电源体系、高压脉冲电源体系、ＰＬＣ中央控制体系和计算机；低压直流电源体系为真空体系提供低压电流，高压脉冲电源体系为真空体系提供高压脉冲电流；ＰＬＣ中央控制体系对真空体系、低压直流电源体系、高压脉冲电源体系进行控制，所述ＰＬＣ与计算机实现数据的传送与控制。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：夏原，李光，高方圆，
申请(专利权)人：中国科学院力学研究所，
类型：发明
国别省市：11