厚膜功率模块成膜基板的制造方法技术

技术编号:5928085 阅读:260 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种厚膜功率模块成膜基板的制造方法,包括以下步骤:a、使用杜邦公司7740型加厚型银浆料;b、采用丝网进行重复印刷。丝网目数采用250目或300目,乳剂膜厚度选用40μm、50μm或80μm,使厚膜功率模块基板的导带间距达到0.25mm。通过本发明专利技术克服了现有厚膜功率模块成膜工艺制作出来的导体走线方阻较大、导致电路自身功耗较大的缺陷,使成膜基板上导体走线方阻降低,从20mΩ/□降低到1mΩ/□以下;通过四层重复印刷,使其导体方阻最低可达0.2mΩ/□,从而使电路工作时导体走线产生较低功耗,以保证电路工作长期可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种厚膜功率模块成膜基板的加工方法。
技术介绍
厚膜功率模块随着市场需求向高密度、大功率方向的不断发展,其功率密度越来 越大,其中功率芯片数越来越多,布线和封装密度越来越高,热效应比较突出。为了减小厚 膜功率模块热效应影响,有效降低厚膜功率模块成膜基板的自身功耗就显得比较重要。现有厚膜功率模块成膜基板制造方法是采用杜邦6177型钯银导体浆料进行厚膜 导体走线成膜。此种导体浆料方阻较大,若采用300目不锈钢丝网40μπι乳剂膜的掩膜 版来制作厚膜导体走线,该厚膜导体走线膜厚为144!11 16 4111,其方阻值达20πιΩ/ 口 30πιΩ/口,则厚膜功率模块导体走线内阻总和将达到20 Ω以上。如当其内部电流为500mA 时,通过公式可知P = I2R,在功率模块内部导体走线上将产生5W以上自身功耗,从而使其 导体走线上产生大量热量,严重影响功率模块的性能。用此种制造方法重复多层印刷后,其 导体膜层厚度虽然有所增加,但其膜层表面易出现明显开裂现象,无法满足使用要求。针对 上述问题进行广泛检索,没有检索到解决该问题的相关文献。
技术实现思路
本专利技术的目的就是为了解决本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.厚膜功率模块成膜基板的制造方法,其特征在于包括以下步骤:a、使用杜邦公司7740型加厚型银浆料;b、采用丝网进行2-6次重复印刷。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:尤广为杨宝平
申请(专利权)人:华东光电集成器件研究所
类型:发明
国别省市:34[中国|安徽]

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