布线基板、半导体装置以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供能够提高绝缘膜相互之间的粘附性，从而可提高半导体装置的多层布线形成工艺中的成品率和可靠性的布线基板、半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明专利技术涉及一种布线基板，其特征在于，包括由硅化合物构成的第一绝缘膜、形成于改第一绝缘膜上的粘附强化层以及形成于该粘附强化层上且由硅化合物构成的第二绝缘膜，上述第一绝缘膜和上述第二绝缘膜是通过由具有下述通式（１）所表示的结构的构成成分进行结合，在通式（１）中，Ｘ＝２Ｙ，Ｘ表示１以上的整数。Ｓｉ－ＣＸＨＹ－Ｓｉ……通式（１）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及布线基板、半导体装置和半导体装置的制造方法，特别是涉及要求响 应速度的高速化的布线基板、半导体装置和半导体装置的制造方法。
技术介绍
半导体装置的多层布线是由Cu布线和层间绝缘膜来构成，在该多层布线中，信号 传播速度的降低取决于布线电阻和布线之间的寄生电容。近年来，由于装置的高集成化，布 线宽度、布线间隔变窄，布线电阻升高，布线间的寄生电容増大。虽然绝缘膜的容量可通过 使布线厚度变薄，从而使截面积变小来降低，但是，使布线厚度变薄会导致布线电阻的进一 步升高，因此与高速化不相顺应。为了追求高速化，布线的低电阻化和绝缘膜的低介电常数 化是必需的。此外，布线的低电阻化和绝缘膜的低介电常数化，被推测为决定装置性能的较 大的关键因素。但是，若为了绝缘膜的低介电常数化而提高有机基的含量时，会使膜发生疏 水化，降低绝缘膜相互之间的粘附性。如上所述，当层叠的绝缘膜相互之间的粘附性降低的情况下，研磨工序中发生膜 剥落，成品率和可靠性降低。为了对此进行抑制，虽然已探讨了利用粘附性强化材料或等离 子体、臭氧的粘附性强化方法，不过，尚未达到问题的充分解决(例如，参照专利文献1)。因此，将低介本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种布线基板，其特征在于，具有由硅化合物构成的第一绝缘膜、形成于该第一绝缘膜上的粘附强化层和形成于该粘附强化层上并由硅化合物构成的第二绝缘膜；所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜是通过具有下述通式（１）所表示的结构的构成成分进行结合，Ｓｉ－Ｃ↓［Ｘ］Ｈ↓［Ｙ］－Ｓｉ……通式（１）在上述通式（１）中，Ｘ＝２Ｙ，Ｘ表示１以上的整数。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：尾崎史朗，中田义弘，今田忠纮，小林靖志，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]