半导体发光器件制造技术

公开了一种半导体发光器件。该半导体发光器件包括第一半导体层、第二半导体层、在第一半导体层和第二半导体层之间形成的有源层、在第一半导体层上的用于反射入射光的第一反射电极、以及在第二半导体层上的用于反射入射光的第二反射电极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本实施例涉及一种半导体发光器件。
技术介绍
半导体发光器件包括LED (发光二极管)、LD (激光二极管)等等。 半导体发光器件用来通过利用化合物半导体的特性来将电信号转换成红 外光线、可见光线等等，并且用来交换经转换的信号。一般而言，LED已经广泛地用于家用电器、遥控器、光电板、指示 器、以及各种自动化设备，并且大体上被分类为IRED (红外线发射二极 管)和VLED (可见M射二极管)。一般而言，具有小尺寸的LED以表面安装器件的形式来制造，以便 LED直接被安装到PCB (印刷电i^板)上。因此，用作显示器件的LED 灯也以表面安装器件的形式来制造。这种表面安装器件可以替换现有的简 单照明灯，并且用作产生各种颜色的照明指示器、字符指示器、图〗象指示 器等等。如上所述，这种半导体发光器件已经用于各种领域，例如，用于日常 生活的电灯、用于输出救援信号的电灯等等。此外，对高亮度的半导体发 光器件的需求已经越来越上升。因此，已经积极地开发高功率的发光器件
技术实现思路
技术问题实施例提供一种半导体发光器件，其能够通过防止从有源层产生的光 被电极吸收而提高整个发光效率。技术方案实施例提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光器件，包括：　第一半导体层；　第二半导体层；　在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间形成的有源层；　在所述第一半导体层上的用于发射入射光的第一反射电极；以及　在所述第二半导体层上的用于发射入射光的第二反射电极。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：李尚烈，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]