半导体发光器件制造技术

公开了一种半导体发光器件。该半导体发光器件包括第一半导体层、第二半导体层、在第一半导体层和第二半导体层之间形成的有源层、在第一半导体层上的用于反射入射光的第一反射电极、以及在第二半导体层上的用于反射入射光的第二反射电极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本实施例涉及一种半导体发光器件。
技术介绍
半导体发光器件包括LED (发光二极管)、LD (激光二极管)等等。 半导体发光器件用来通过利用化合物半导体的特性来将电信号转换成红 外光线、可见光线等等，并且用来交换经转换的信号。一般而言，LED已经广泛地用于家用电器、遥控器、光电板、指示 器、以及各种自动化设备，并且大体上被分类为IRED (红外线发射二极 管)和VLED (可见M射二极管)。一般而言，具有小尺寸的LED以表面安装器件的形式来制造，以便 LED直接被安装到PCB (印刷电i^板)上。因此，用作显示器件的LED 灯也以表面安装器件的形式来制造。这种表面安装器件可以替换现有的简 单照明灯，并且用作产生各种颜色的照明指示器、字符指示器、图〗象指示 器等等。如上所述，这种半导体发光器件已经用于各种领域，例如，用于日常 生活的电灯、用于输出救援信号的电灯等等。此外，对高亮度的半导体发 光器件的需求已经越来越上升。因此，已经积极地开发高功率的发光器件
技术实现思路
技术问题实施例提供一种半导体发光器件，其能够通过防止从有源层产生的光 被电极吸收而提高整个发光效率。技术方案实施例提供一种半导体发光器件，包括第一半导体层；第二半导体 层；在第一半导体层和第二半导体层之间形成的有源层；在第一半导体层4上的用于发射入射光的第一反射电极；以及在第二半导体层上的用于发射 入射光的第二反射电极。实施例提供一种半导体发光器件，包括第一半导体层；第二半导体 层；在第一半导体层和第二半导体层之间形成的有源层；在第一半导体层 上的第一电极；以及在第二半导体层上的第二电极，其中第一电极和第二 电极中的至少一个被分成多个电极。有利效果根据实施例，防止从有源层产生的光被电极吸收，从而可以提高整个 发光效率。附图说明图1是示意性地示出根据第一实施例的半导体发光器件的堆叠结构 的截面图2是示意性地示出根据第二实施例的半导体发光器件的堆叠结构 的截面图3是示意性地示出根据第三实施例的半导体发光器件的堆叠结构 的截面图4是示意性地示出根据第四实施例的半导体发光器件的堆叠结构 的截面图；以及图5是示意性地示出根据第五实施例的半导体发光器件的堆叠结构 的截面图。具体实施例方式应当理解，在实施例的描述中，当层(或薄膜)、区域、图案或结构 被称为在另一衬底、另一层(或薄膜)、另一区域、另一垫区(pad)或另一 图案"上"或"下"时，其可以是"直接地"或"间接地"在该另一衬 底、层(或薄膜)、区域、垫区或图案上，或者还可以存在一个或多个中 介层。在下文中，将参考附图描述实施例。图1是示意性地示出根据第一实施例的半导体发光器件的堆叠结构的截面图。如图1所示，根据第一实施例的半导体发光器件100包括衬底110、 緩冲层120、例如n型半导体层130的第一半导体层、有源层140、例如 p型半导体层150的第二半导体层、透明电极160、例如n型及Jl^电极170 的第一反射电极、以及例如p型反射电极180的第二反射电极。首先，衬底110由从包括AL20s、 Si、 SiC、 GaAs、 ZnO、 MgO或 其化合物的组中选择的一个来形成。緩冲层120可以具有诸如AlInN/GaN 、 InxGa^N/GaN 、 AlJiiyGak-yN/InxGakN/GaN等的堆叠结构。n型半导体层130和p型半导体层150可以分别包括氮化物半导体层。有源层140在n型半导体层130和p型半导体层150之间形成。有 源层140可以具有单量子阱结构或多量子阱结构。透明电极160形成在p型半导体层150上。透明电极160包括具有优 良的透光性的材料并且增加电流的扩散。透明电极160可以由诸如ITO、 CTO、 Sn02、 ZnO、 RuOx、 TiOx、 IrOx或GaxOy的透明导电氧化物层形 成。p型反射电极180形成在透明电极160上，而n型反射电极170形成 在n型半导体层130上。p型反射电极180和n型反射电极170包括包含反射材料的金属，以 用作结合区(bonding pad), p型反射电极180和n型反射电极170包^" 如Ag和Al的^Jt材料，以具有单层结构或多层结构。此外，透明电极160和n型反射电极170用作欧姆接触层。例如，n型反射电极170可以通过使用诸如Al的反射材料来以欧姆 接触层形成。此外，n型反射电极170可以通过使用Ti、 Cr等来以欧姆 接触层形成。此外，n型反射电极170可以具有小于若干nm的厚度，以 便增加反射层的反射率。此外，透明电极160位于p型反射电极180的下面。透明电极160 用作欧姆接触层。因此，p型反射电极180可以用作反射层。另外，p型 反射电极180可以被制备成结合区的形式，其中欧姆接触层由厚度小于若 干nm的Ti或Cr形成并且还形成>^射层。根据如上所述的第一实施例的半导体发光器件IOO，其中提供了 n型6和p型反射电极170和180，以便可以防止n型和p型反射电极170和 180吸^有源层140产生的光。从有源层140产生的光从n型和p型反 射电极170和180的侧面或底面反射，而不是被n型和p型反射电极170 和180吸收。因此，第一实施例的半导体发光器件100可以改善其亮度。此外，第 一实施例的半导体发光器件100可以应用于低功率半导体发光器件以及 高功率半导体发光器件。其间，实施例提出一种用于划分>^射电极以<更进一步改善半导体发光 器件的亮度的方案。图2到5示出包括被划分的反射电极的半导体发光器 件的示例。如图2到5所示，当划分>^射电极时，可以划分n型及^射电极或p 型反射电极，或者也可以划分n型反射电极和p型反射电极两者。此夕卜， 经划分的n型反射电极互相电连接，并且经划分的p型反射电极也互相电 连接。例如，经划分的n型Jl射电极可以在同一平面上图案化，并且经划 分的p型反射电极也可以在同一平面上图案化。图2是示意性地示出根据第二实施例的半导体发光器件的堆叠结构 的截面图。如图2所示，根据第二实施例的半导体发光器件200包括衬底210、 緩冲层220、 n型半导体层230、有源层240、 p型半导体层250、透明电 极260、 p型反射电极280和285、以及n型反射电极270、 272和274。根据第二实施例的半导体发光器件200,形成两个p型反射电极280 和285和三个n型^^射电极270、 272和274。通过划分形成的两个p型反射电极280和285互相电连接。根据一个 示例，两个p型反射电极280和285可以以基本上'匚，形状的形式在 同一平面上图案化。此外，通过划分形成的三个n型^Jt电极270、 272和274互相电连 接。三个n型反射电极270、 272和274可以在同一平面上图案化。两个p型>^射电极280和285形成在透明电极260上，并且三个n 型反射电极270、 272和274形成在n型半导体层230上。如上所述，通过划分形成两个p型>^射电极280和285和三个n型 反射电极270、 272和274,以便即使当在第二实施例中形成反射电极的面积等于在第一实施例中形成反射电极的面积时，也可以确保各种光径。因此，从有源本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光器件，包括：　第一半导体层；　第二半导体层；　在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间形成的有源层；　在所述第一半导体层上的用于发射入射光的第一反射电极；以及　在所述第二半导体层上的用于发射入射光的第二反射电极。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：李尚烈，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]