发光器件封装及其制造方法技术

提供了一种发光器件封装及其制造方法。该发光器件封装包括：基板；基板上的发光器件；齐纳二极管，包括第一传导类型杂质区和两个第二传导类型杂质区，第一传导类型杂质区被放置在基板中，两个第二传导类型杂质区被分离地放置在第一传导类型杂质区的两个区域中；以及第一电极层和第二电极层，它们中的每一个均电连接到第二传导类型杂质区和发光器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
发光二极管(LED)是一种将电流转换成光的半导体发光器件。从发光二极管发射的光的波长是根据用于制造发光二极管的半导体材料而确定 的。这是因为所发射的光的波长对应于半导体材料的带隙，带隙被定义为价带中的电子与 导带中的电子之间的能量差。近来，随着LED的亮度的增加，LED被用作显示设备、交通工具和照明设备的光源。 基于具有多种颜色的LED的组合或者磷光体的使用，能够实现具有优良的照明效率的发射 白色光的LED。
技术实现思路
技术问题实施例提供了一种具有新型结构的。实施例提供了一种具有改进的电学稳定性的。技术方案在实施例中，一种发光器件封装包括基板；基板上的发光器件；齐纳二极管，包 括第一传导类型杂质区和两个第二传导类型杂质区，第一传导类型杂质区被放置在基板 中，两个第二传导类型杂质区被分离地放置在第一传导类型杂质区的两个区域中；以及第 一电极层和第二电极层，它们中的每一个均电连接到第二传导类型杂质区和发光器件。在实施例中，一种发光器件封装包括基板；基板上的发光器件；齐纳二极管，包 括基板中的第一传导类型杂质区和两个第二传导类型杂质区，两个第二传导类型杂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件封装，包括：基板；所述基板上的发光器件；齐纳二极管，包括第一传导类型杂质区和两个第二传导类型杂质区，所述第一传导类型杂质区被放置在所述基板中，所述两个第二传导类型杂质区被分离地放置在所述第一传导类型杂质区的两个区域中；以及第一电极层和第二电极层，它们中的每一个均电连接到所述第二传导类型杂质区和所述发光器件。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 2007-11-1 10-2007-0110865一种发光器件封装，包括基板；所述基板上的发光器件；齐纳二极管，包括第一传导类型杂质区和两个第二传导类型杂质区，所述第一传导类型杂质区被放置在所述基板中，所述两个第二传导类型杂质区被分离地放置在所述第一传导类型杂质区的两个区域中；以及第一电极层和第二电极层，它们中的每一个均电连接到所述第二传导类型杂质区和所述发光器件。2.如权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述发光器件封装包括多个所述发光二 极管和多个所述齐纳二极管。3.如权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述齐纳二极管被放置在所述基板的底部。4.如权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述发光器件和所述齐纳二极管并联连接在一起。5.如权利要求1所述的发光器件封装，其中，绝缘层被放置在所述基板、所述第一电极 层和所述第二电极层之间。6.如权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述第一电极层和所述第二电极层穿过 所述基板。7.如权利要求1所述的发光器件封装，其中，空腔在所述基板中形成，以及，所述发光 器件被安装在所述空腔中。8.如权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述发光器件被放置在所述第一和第二 电极层上并且通过凸起与它们电连接。9.一种发光器件封装，包括 基板；所述基板上...

【专利技术属性】
技术研发人员：金根浩，宋镛先，元裕镐，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]