包括由光子晶体限定的阵列发射体的发光设备制造技术

一种发光设备，包括：具有位于ｎ型区和ｐ型区之间的发光区的结构。在所述结构的与发光区的第一部分对应的第一区中形成所述结构中的多个孔，所述多个孔形成光子晶体。所述结构的与所述发光区的第二部分对应的第二区是无孔的。所述设备被配置为使得，当被正向偏置时，电流被注入所述第二区中，并且所述第一区基本无电流。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及包括光子晶体(photonic crystal)的半导体发光设备。
技术介绍
包括发光二极管(LED)、谐振腔发光二极管(RCLED)、垂直腔 激光二极管(VCSEL)和边缘发射激光器的半导体发光设备是当前可用 的最有效的光源。当前在制造能够横跨可见光谱工作的高亮度发光设 备中感兴趣的材料系统包括III-V族半导体，特别是镓、铝、铟和氮 的二元、三元和四元合金，也被称为III族氮化物(III nitride)材 料。通常，通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE) 或其它外延技术，在合适的衬底上外延生长不同组分和掺杂浓度的多 个半导体层的叠层，来制造III族氮化物发光设备。该叠层通常包括 形成在衬底上的掺杂有例如Si的一个或多个n型层、形成在所述n型 层上的发光或有源区、以及形成在该有源区上的掺杂有例如Mg的一个 或多个p型层。LED的质量可以通过例如其辐射率(radiance)和其提取效率 (extraction efficiency )来表征，其中辐射率是发射设备每单位面 积特定方向上发射的功率，提取效率是从该设备提取的光子与发光区 中产生的光子本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种设备，包括：包括设置于ｎ型区和ｐ型区之间的发光区的结构；和设置于所述结构的底表面的至少一部分上的反射体，其中：在所述结构的与所述发光区的第一部分对应的第一区中形成所述结构中的多个孔；所述结构的多个第二区是无孔的，每个第二区与所述发光区的第二部分对应；所述第二区的每一个被所述第一区围绕；并且所述设备配置为，当被正向偏置时，电流被注入所述第二区中，而所述第一区基本无电流。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2006-10-2 11/537,9401、一种设备，包括包括设置于n型区和p型区之间的发光区的结构；和设置于所述结构的底表面的至少一部分上的反射体，其中在所述结构的与所述发光区的第一部分对应的第一区中形成所述结构中的多个孔；所述结构的多个第二区是无孔的，每个第二区与所述发光区的第二部分对应；所述第二区的每一个被所述第一区围绕；并且所述设备配置为，当被正向偏置时，电流被注入所述第二区中，而所述第一区基本无电流。2、 如权利要求l所述的设备，其中，从所述结构提取的大部分光 是从所述第一区发出的。3、 如权利要求l所述的设备，其中，从所述结构提取的大部分光 是从所述多个第二区发出的。4、 如权利要求l所述的设备，其中，从所述结构提取的光是从所 述第一区和所述多个第二区这两者发出的。5.<image>image see original document page 0</image>6、 如权利要求l所述的设备，其中，从所述结构提取的大部分光 通过所述结构的顶表面被提取。7、 如权利要求l所述的设备，其中，所述多个孔形成包括折射率 的周期性变化的光子晶体。8、 如权利要求l所述的设备，其中，所述结构的第一区包括非导 电层。9、 如权利要求8所述的设备，其中，所述非导电层包括注入层或 氧化物层。10、 如权利要求l所述的设备，其中，所述结构包括III族氮化物 半导体结构。11、 如权利要求l所述的设备，其中，所述孔延伸到发光区中。12、 如权利要求l所述的设备，其中，所述孔延伸到所述n型区中13、 如权利要求l所述的设备，其中，所述孔延伸到所述p型区中14、 如权利要求l所述的设备，其中，所述孔延伸穿过所述结构的 整个厚度。15、 如权利要求l所述的设备，其中，所述孔的开口设置于所述结 构的顶表面中，并且所述孔朝向所述结构的底表面延伸。16、 如权利要求l所述的设备，其中，所述孔的开口设置于所述结 构的底表面中，并且所述孔朝向所述结构的顶表面延伸。17、 如权利要求l所述的设备，其中，所述反射体包括银。18、 如权利要求l所述的设备，其中，所述反射体是电连接到所述 p型区的第一接触，所述设备还包括电连接到接近所述结构的顶表面的 n型区的第二接触。19、 如权利要求18所述的设备，还包括设置于所述第一和第二接 触之一与所述结构之间的导电氧化物...

【专利技术属性】
技术研发人员：J小韦勒，MM西加拉斯，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]