配线部件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种配线部件及该配线部件的制造方法，该配线部件包括：铜箔；噪声抑制层，厚度是５ｎｍ至２００ｎｍ，包含金属材料或导电性陶瓷；有机高分子膜；以及绝缘性粘合剂层，其中，该绝缘性粘合剂层设置在噪声抑制层上设置的有机高分子膜和铜箔之间、或设置在有机高分子膜上设置的噪声抑制层和铜箔之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于构成印刷线路基才反的配线部件及其制造 方法。
技术介绍
近年来，1^着无戶斤不在的牙土会(ubiquitous society )的到来，在 信息处理设备、通信设备等中，尤其是个人计算机、便携式电话机、 游戏设备等中，微处理装置(MPU)的高速化、多功能化、复合化 及存储器等的记录装置的高速化日益推进。但是，从这些设备放射出的噪声或传导设备内的导体的噪声带 来的自身或其他电子设备、部件的错误运转及对人体的影响已成为 问题。作为噪声，存在安装有MPU和电子部件等的印刷线路板内 的导体的阻抗的不匹配引起的噪声、导体间的串音引起的噪声、以 及由MPU间的层间共振所感应的噪声等，作为抑制了这些噪声的印刷线路基板，已知有下述印刷线路基板。(1) 在由铜箔构成的电源层及接地层的两面上，形成了由比 铜箔电阻率大的金属构成的金属膜的印刷线路基板(专利文献1 )。(2) 在由铜箔构成的电源层及4妾地层的两面上，形成了含有 导电性物质的、具有与印刷线路基板面垂直方向的各向异性导电性 的膜的印刷线路基板(专利文献2)。(3 )是具有电源层和接地层的平行平板构造的印刷线路基板， 并且是电源层或接地层将电阻性导体膜和电子部件电流供给图案 进行了 一体化的印刷线路基板，也是电阻性导体膜的厚度小于等于 电子部件电流供给图案的1/10的印刷线路基板(专利文献3)。在(1)的印刷线路基板中，能够使铜箔表面流动的高频涡电 流衰减，即使半导体元件发生同步开关，也能够使电源电位等稳定 化，能够抑制不必要的噪声放射。另外，为了用与表皮的深度相同 程度的数(am的金属膜将流动于导体表面(表皮)的高频电流(表 皮电流)衰减，虽然取决于作为对象的高频率电流的频率，但是需 要具有相当高的电阻率的材料。而且，不能得到这样的材料，在(l) 的印刷线路基板中，就得不到充分的噪声抑制效果。在(2)的印刷线路基板中，也同样能够使高频涡电流衰减。 但是，形成各向异性导电性的膜以具有与表皮的深度同等以上的铜 箔的表面粗糙度的步骤是复杂的。另外，在(2)的印刷线路基板 中，不能获得充分的噪声抑制效果。在(3)的印刷线路基板中，也能够抑制电石兹干扰(EMI)。但 是，为了使电阻性导体膜和电子部件电流供给图案一体化，必须通过镀法将电子部件电流供给图案形成在电阻性导体膜上，所以步骤 复杂，并在制造中需要时间。日本专利文献l:特开平11-97810号公报 日本专利文献2:特开2006-66810号7>才艮 日本专利文献3:特开2006-49496号公报
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供一种通过抑制因同步开关而引起 电源层和接地层之间的共振、从而能够使电源电位稳定化、并能够 抑制不必要的噪声放射的用于印刷线路基板的配线部件及能够高 效率制造该配线部件的制造方法。本专利技术的第一方式的配线部件的特征在于包括铜箔；噪声抑 制层，厚度是5nm至200nm,含有金属材料或导电性陶瓷；有机高 分子膜，设置在所述铜箔和所述噪声抑制层之间；以及绝缘性粘合 剂层，设置在所述铜箔和所述有机高分子膜之间。在第一方式的配线部件中，优选所述有机高分子膜的厚度和所 述绝缘性粘合剂层的厚度的合计是3pm至30pm。本专利技术的第二方式的配线部件的特征在于包括铜箔；有机高 分子膜；噪声抑制层，厚度是5nm至200nm,含有金属材料或导电 性陶瓷，设置在所述铜箔和所述有机高分子膜之间；以及绝缘性粘 合剂层，设置在所述铜箔和所述噪声抑制层之间。在第二方式的配线部件中，优选所述绝缘性粘合剂层的厚度是 lpm至25[xm。优选所述噪声抑制层具有^皮局部除去的图案。优选所述有机高分子膜的厚度是lpm至20pm。本专利技术的配线部件的制造方法是所述第一方式的配线部件的 制造方法，其特征在于包括下述(a)步骤、(b)步骤及(c)步骤，(a )在有机高分子膜上物理地蒸镀金属材料或导电性陶瓷， 形成噪声抑制层。(b )用绝缘性粘合剂使铜箔和有机高分子膜粘合。(c)除去噪声抑制层的一部分。 优选所述步骤以(a)步骤、(b)步骤及(c)步骤的顺序进行。 或优选所述步骤以(a)步骤、(c)步骤及(b)步骤的顺序进行。或优选所述步骤以(b)步骤、(a)步骤及(c)步骤的顺序进行。而且，本专利技术的配线部件的制造方法是所述第二方式的配线部 件的制造方法，其特征在于包括下述(a)步骤、(c)步骤及(b，) 步骤，这些步骤以(a)步骤、(c)步骤及(b，)步骤的顺序进行。(a)在有机高分子膜上物理地蒸镀金属材料或导电性陶瓷， 形成噪声抑制层。(c)除去噪声抑制层的一部分。(b，)用绝缘性粘合剂使铜箔和噪声抑制层粘合。本专利技术的配线部件能够通过抑制在印刷线路基^反中同步开关 所引起的电源层和4妄地层之间的共振，从而能够^吏电源电位稳定 化，抑制不必要的噪声的放射。才艮据本专利技术的配线部件的制造方法，能够高效率地制造通过抑振、从而能够使电源电位稳定化、并抑制不必要的噪声的放射的配线部件。附图说明图1是示出本专利技术的第一实施方式的配线部件的截面图2是观察噪声抑制层的表面的场致发射扫描电子显孩i镜像；图3是图2的示意图4是示出被图案加工了的噪声抑制层的 一 个示例的图5是示出本专利技术的第二方式的配线部件的截面图6是示出印刷线路基板的一个示例的截面图7是示出印刷线^各基^反的另一个示例的截面图8是示出实施例1及比较例1的印刷线路板的S21 (透射衰 减量)的图表；以及图9是示出实施例2及比较例2的印刷线路板的S21 (透射衰 减量)的图表。符号说明10配线部件 11铜箔 12绝纟彖性粘合剂层13有^L高分子膜 14噪声抑制层具体实施例方式第一实施方式的配线部4牛图1是示出本专利技术的第一实施方式的配线部件的截面图。配线 部件10具有铜箔11、设置在铜箔11上的绝缘性粘合剂层12、设置 在绝缘性粘合剂层12上的有机高分子膜13及形成在有机高分子膜 13的表面上的噪声抑制层14。(铜箔)作为铜箔11可以列举电解铜箔和轧制铜箔等。通常，为了改善与绝缘性粘合剂层12的粘合性，通过在表面 上附着微细的铜粒等将铜箔的表面进行粗糙化处理。铜箔11的表 面粗4造度Rz优选是0.5nm至8pm,更优选是lpm至5(am。如果铜 箔11的表面粗糙度Rz是8|um以下，则即使形成很薄的绝缘性粘合 剂层12,也^L难在绝缘性粘合剂层12上产生因铜箔11的表面凹凸 而引起的针孑L (pin hole)等的缺陷。表面粗糙度Rz是在JIS B 0601-1994中被规定的十点平均粗糙度Rz。作为铜箔ii尤其优选电解铜箔。电解铜箔是利用电解反应使 铜析出在阴极的转动滚筒表面上并从转动滚筒剥离继而获得的，与 滚筒接触的表面成为复制了滚筒的表面状态的平滑面。另 一方面， 电解析出了铜的表面形状由于每个结晶面析出的铜的结晶成长速度不同，所以成为粗糙面，成为容易与其他的绝缘树脂层(省略图 示)粘合的面。铜箔11的厚度优选是3|am至50|im。为了提高配线部件10的制造时的操作性，也可以在铜箔11的 未形成有绝缘性粘合剂层12的表面上具有由其他的铜箔、其他的 有机高分子膜等构成的可以剥离的保护层或加强层。(绝缘性粘合剂层)绝缘性粘合剂层12是由绝缘性粘合剂构成的层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种配线部件，其特征在于，包括：　铜箔；　噪声抑制层，厚度是５ｎｍ至２００ｎｍ，含有金属材料或导电性陶瓷；　有机高分子膜，设置在所述铜箔和所述噪声抑制层之间；以及　绝缘性粘合剂层，设置在所述铜箔和所述有机高分子膜之间 。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：川口利行，田原和时，佐贺努，根岸满明，
申请(专利权)人：信越聚合物株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]