一种复合镀膜的SMD晶体谐振器晶片制造技术

技术编号:5272877 阅读:183 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术涉及一种复合镀膜的SMD晶体谐振器晶片,晶片上、下表面设有镀膜电极,所述镀膜电极由在晶片表面镀金属Cr形成的镀Cr基层和在基层表面镀金属银形成的镀银表层构成。本实用新型专利技术具有银层附着力强,晶体谐振器可靠性高的特点。(*该技术在2020年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种复合镀膜的SMD晶体谐振器晶片。
技术介绍
SMD晶体谐振器制造厂家对晶片的加工镀膜方法是将晶片部分表面镀上一层银 作为晶片的电极(此电极的面积小于晶片表面积),增强导电性能,使晶体在电场的作用下 形成逆压电效应。但由于银和水晶晶片结合度不是很好,特别是在空气湿度比较大的情况 下镀膜时,银层附着力会急剧降低,在加热或振动后发生银层脱落。有银层脱落现象的晶体 谐振器,电阻值升高,相应的功耗增加,甚至造成不“起振”或工作不稳定的现象。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种复合镀膜的SMD晶体谐振器晶片,可以提高银层的 附着力,提高晶体谐振器可靠性。本技术是这样实现的晶片上、下表面设有镀膜电极,所述镀膜电极由在晶片 表面镀金属Cr形成的镀Cr基层和在基层表面镀金属银形成的镀银表层构成。由于金属Cr在晶片上附着力强,而镀银表层是镀在Cr层上而不是直接镀在水晶 晶片上,因此附着力大大加强。检验银层附着力最基本的方法是使用3M胶带粘上晶片后撕 开,开是否有银层脱落到胶带上。使用复合镀膜的晶片,使用3M胶带检测未发现有脱银现 象。虽然镀Cr可以增加银层附着力,但如果Cr层过厚,会导致晶体谐振器的电阻增 加。本专利技术人通过实验发现,镀Cr基层的厚度在6. (T6.5nm Cr时,产品电阻值变化仅在 2 Ω以内,不会使晶体谐振器的电阻值升高。由上述技术方案可知,本技术镀银表层通过镀Cr基层附着在晶片上,可以增 强银层的附着力,可以提高晶体谐振器可靠性。附图说明图1是本技术结构示意图。图2是图1的俯视图。具体实施方式如图1和图2所示,本技术晶片1用自动溅射镀膜方式在晶片上、下表面形成 镀膜电极2,镀膜电极2由在晶片1表面镀金属Cr形成的镀Cr基层21和在基层21表面镀 金属银形成的镀银表层22构成,其中镀Cr基层21的厚度为6. (Γ6. 5nm。权利要求1.一种复合镀膜的SMD晶体谐振器晶片,晶片(1)上、下表面设有镀膜电极O),其特 征在于所述镀膜电极O)由在晶片(1)表面镀金属Cr形成的镀Cr基层和在基层 (21)表面镀金属银形成的镀银表层0 构成。2.根据权利要求1所述的复合镀膜的SMD晶体谐振器晶片,其特征在于镀Cr基层 (21)的厚度为6. 0 6· 5nm。专利摘要本技术涉及一种复合镀膜的SMD晶体谐振器晶片,晶片上、下表面设有镀膜电极,所述镀膜电极由在晶片表面镀金属Cr形成的镀Cr基层和在基层表面镀金属银形成的镀银表层构成。本技术具有银层附着力强,晶体谐振器可靠性高的特点。文档编号H03H9/19GK201821325SQ20102054806公开日2011年5月4日 申请日期2010年9月29日 优先权日2010年9月29日专利技术者吴亚华, 吴成秀 申请人:铜陵市峰华电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种复合镀膜的SMD晶体谐振器晶片,晶片(1)上、下表面设有镀膜电极(2),其特征在于:所述镀膜电极(2)由在晶片(1)表面镀金属Cr形成的镀Cr基层(21)和在基层(21)表面镀金属银形成的镀银表层(22)构成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:吴成秀吴亚华
申请(专利权)人:铜陵市峰华电子有限公司
类型:实用新型
国别省市:34[中国|安徽]

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