纳米线结构元件制造技术

本发明专利技术涉及一种纳米线结构元件，其适于例如安装到微反应器系统或微催化剂系统中。为了制备纳米线结构元件，使用基于模板的方法，其中在纳米孔中纳米线的电化学沉积优选至少进行如此长的时间，直至已形成凸端，其优选至少部分地长成一片。在增强两个覆盖层之后，通过溶解模板膜并去除已溶解的模板材料使两个覆盖层之间的结构化空腔露出，其中仍然保留所述两个覆盖层。由此产生稳定的三明治状纳米结构，其具有在两侧面由覆盖层划定边界的并由纳米线柱状贯穿的在平行于覆盖层的平面内二维开口的空腔结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
制备纳米线结构元件（１）的方法，该纳米线结构元件具有在两个覆盖层（２６ａ，２６ｂ）之间布置的纳米线阵列（３５），以形成被纳米线（３４）柱状贯穿的空腔结构（４２），该方法包括以下步骤：（ａ）提供模板膜（１２），（ｂ）在模板膜（１２）的第一侧面（１２ａ）上施加平面封闭的第一导电覆盖层（２６ａ），（ｃ）在模板膜（１２）中产生许多纳米孔（３２），（ｄ１）以如下方式在纳米孔（３２）中产生纳米线（３４）：借助导电材料的电化学沉积填充纳米孔（３２），其中，纳米线（３４）在纳米孔（３２）内生长到第一覆盖层（２６ａ）上，（ｄ２）在模板膜（１２）的第二侧面（１２ｂ）上产生平面封闭的第二覆盖层（２６ｂ），使得产生由...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：T科尔内留斯，W恩辛格，R纽曼，M劳贝尔，
申请(专利权)人：GSI重离子研究亥姆霍茨中心有限公司，
类型：发明
国别省市：DE