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本发明涉及一种纳米线结构元件,其适于例如安装到微反应器系统或微催化剂系统中。为了制备纳米线结构元件,使用基于模板的方法,其中在纳米孔中纳米线的电化学沉积优选至少进行如此长的时间,直至已形成凸端,其优选至少部分地长成一片。在增强两个覆盖层之后...该专利属于GSI重离子研究亥姆霍茨中心有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过GSI重离子研究亥姆霍茨中心有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种纳米线结构元件,其适于例如安装到微反应器系统或微催化剂系统中。为了制备纳米线结构元件,使用基于模板的方法,其中在纳米孔中纳米线的电化学沉积优选至少进行如此长的时间,直至已形成凸端,其优选至少部分地长成一片。在增强两个覆盖层之后...