【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
制备纳米线结构元件(1)的方法,该方法包括以下步骤:(a)提供模板(12),(b)在基于模板表面至少2个不同的角度下采用能量辐射(14)对模板(12)进行辐照,以产生多个贯穿模板的潜在径迹(16),(c)蚀刻模板(12),以便将辐照诱导的潜在径迹(16)蚀刻成由相互交叉连接的纳米孔(32)形成的网络(33),(d)将材料沉积在纳米孔(32)中以在纳米孔网络(33)中产生由彼此相互交叉连接的纳米线(34)组成的网络(37),使得所产生的纳米线网络(37)贯穿所述模板,(e)从所生成的纳米线网络(37)溶解并去除模板(12)。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:T科尔内留斯,W恩辛格,R纽曼,M劳贝尔,
申请(专利权)人:GSI重离子研究亥姆霍茨中心有限公司,
类型:发明
国别省市:DE
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