本发明专利技术公开了一种利用半导体测试仪读取芯片信息的方法，序列图形发生器产生图形值并写入图形真值表中，数据比较器根据图形值输出Ｘ结果到数据失效存储器，输出Ｙ结果到数据失效存储器；通过测试程序设置数据选择器，设定数字采集器各比特位与芯片测试通道的链接；再把数据失效存储器中的Ｘ结果、Ｙ结果值通过数字采集器中的异或逻辑门生成数字采集器的采集使能信号，用来控制将Ｈ结果或Ｌ结果值传入数字采集器的存储器中同该芯片测试通道对应的存储区间；最后通过后台处理将数字采集器存储器中的数据传入指定的数组变量中。通过本发明专利技术的方法可以利用半导体测试仪同时对多颗芯片的信息进行读出操作，并节省测试时间。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体测试技术，特别涉及一种。
技术介绍
常见的半导体测试仪，例如ADVANTEST T6573，如附图说明图1所示，包括主机(Main Frame)、测试头(Test Head)、数字采集器(DCAP)；所述主机包括测试控制单元(Tester Controller)、供电单元(DPS)(用于为被测 芯片提供电源)、直流参数测量单元(用于被测芯片直流参数测量或提供芯片外部施加电 压电流)；所述测试头包括通道电子回路(Pin Electronics)、框架处理器(FP，Frame ftOcessor)、频率发生器(Rate Generator)、数据失效存储器(DFM)、序列图形发生器 (SQPG)、算法图形发生器(ALPG)、扫描图形发生器(SCPG)、数据选择器(PDS)；所述通道电子回路包括两个比较器(CP)及参考电平发生器(VO)，所述两个比较 器(CP)用于逻辑高与逻辑低的比较，被测芯片输出的数据信号接所述两个比较器(CP)，分 别同参考电平发生器(VO)输出的参考高电平(VOH)及参考低电平(VOL)进行比较，其比较 被测芯片输出的数据信号波形的检测(STROBE)点是由框架处理器(FP)的时序发生器产生 的时序信号(STBL)的时间沿，所述参考电平发生器(VO)用于产生一个逻辑1及一个逻辑 0的参考电平，如果被测芯片输出的数据信号电平小于等于参考低电平(V0L)，低参考电平 比较器输出0，否则输出1，如果被测芯片输出的数据信号电平大于等于参考高电平(VOH)， 高参考电平比较器输出0，否则输出1，从而输出低参考电平比较被测芯片输出的数据和高 参考电平比较被测芯片输出的数据两路信号到框架处理器(FP)中的数据比较器。所述框架处理器(FP，Framr Processor)包括数据比较器(DigitalCompare)、时 序发生器(Timing Generator)、整形器(Formatter)、时序存储器(Timing Memory)、波形存 储器(Waveform Memory)，所述时序存储器用于产生不同的时间沿，用来作被测芯片激励波 形产生、1/0切换控制、被测芯片输出的数据信号比较等；所述数据比较器根据图形真值表 (TTB)中的图形值(PATTERN值)进行动作，如表1所示，当PATTERN值为0时，所述数据比 较器不工作；当PATTERN值为1时，所述数据比较器不工作；当PATTERN值为L时，如果低参 考电平比较器输出0(被测芯片输出的数据信号电平小于等于参考低电平)，则芯片输出的 数据测试通过，所述数据比较器输出芯片输出的数据测试通过信号，如果低参考电平比较 器输出1 (被测芯片输出的数据信号电平大于参考低电平)，则芯片输出的数据测试失效， 所述数据比较器将低参考电平比较器输出作取反处理后作为X结果输出至数据失效存储 器DFM，将高参考电平比较器输出直接作为Y结果输出至数据失效存储器DFM ；当PATTERN 值为H时，如果高参考电平比较器输出0 (被测芯片输出的数据信号电平大于等于参考高电 平)，则芯片输出的数据测试通过，所述数据比较器输出芯片输出的数据测试通过信号，如 果高参考电平比较器输出1 (被测芯片输出的数据信号电平小于参考高电平)，则芯片输出的数据测试失效，所述数据比较器将高参考电平比较器输出作取反处理后作为Y结果输出 至数据失效存储器DFM，将低参考电平比较器输出直接作为X结果输出至数据失效存储器 DFM ；当PATTERN值为Z时，数据比较器会做如下处理将高参考电平比较器输出作取反处 理作为Y结果输出至数据失效存储器DFM，将低参考电平比较器输出作取反处理作为X结果 输出至数据失效存储器DFM ；当PATTERN值为X时，所述数据比较器不工作；表 权利要求1.一种，半导体测试仪包括主机、测试头、数字 采集器；所述测试头包括通道电子回路、框架处理器、数据失效存储器、序列图形发生器、数 据选择器；所述通道电子回路包括两个比较器及参考电平发生器，被测芯片输出的数据信号接所 述两个比较器，分别同参考电平发生器输出的参考高电平及参考低电平进行比较，如果被 测芯片输出的数据信号电平小于等于参考低电平，低参考电平比较器输出0，否则输出1， 如果被测芯片输出的数据信号电平大于等于参考高电平，高参考电平比较器输出0，否则输 出1，从而输出低参考电平比较被测芯片输出的数据和高参考电平比较被测芯片输出的数 据两路信号到框架处理器中的数据比较器；所述框架处理器包括数据比较器，所述数据比较器根据序列图形发生器中的图形真值 表中的图形值进行动作，当图形值为0、1或X时，所述数据比较器不工作；当图形值为L时， 如果低参考电平比较器输出0，则芯片输出的数据测试通过，所述数据比较器输出芯片输出 的数据测试通过信号，如果低参考电平比较器输出1，则芯片输出的数据测试失效，所述数 据比较器将低参考电平比较器输出作取反处理后作为X结果输出至数据失效存储器，将高 参考电平比较器输出直接作为Y结果输出至数据失效存储器；当图形值为H时，如果高参考 电平比较器输出0，则芯片输出的数据测试通过，所述数据比较器输出芯片输出的数据测试 通过信号，如果高参考电平比较器输出1，则芯片输出的数据测试失效，所述数据比较器将 高参考电平比较器输出作取反处理后作为Y结果输出至数据失效存储器，将低参考电平比 较器输出直接作为X结果输出至数据失效存储器；当图形值为Z时，数据比较器会做如下处 理将高参考电平比较器输出作取反处理作为Y结果输出至数据失效存储器，将低参考电 平比较器输出作取反处理作为X结果输出至数据失效存储器；所述序列图形发生器，其中设置图形真值表，序列图形发生器能产生图形并将图形值 写到所述图形真值表，序列图形发生器产生的图形的图形值包括0、1、L、H、Z、X; 所述数字采集器包括存储器及异或逻辑门； 其特征在于在读取被测芯片信息时，通过测试程序设置通道电子回路的参考电平发生器的参考高 电平、参考低电平，通过通道电子回路的高参考电平比较器、低参考电平比较器两个比较器 分别对被测芯片输出的数据信号电平比较，输出低参考电平比较被测芯片输出的数据和高 参考电平比较被测芯片输出的数据两路信号到框架处理器中的数据比较器；控制序列图形发生器产生图形值并写入图形真值表中，从而所述数据比较器根据图形 真值表中的图形值将低参考电平比较被测芯片输出的数据比较后输出X结果到数据失效 存储器，将高参考电平比较被测芯片输出的数据比较后输出Y结果到数据失效存储器； 通过测试程序设置数据选择器，设定数字采集器各比特位与芯片测试通道的链接； 再把数据失效存储器中的X结果、Y结果值通过数字采集器中的异或逻辑门生成数字 采集器的采集使能信号，用来控制将H结果或L结果值传入数字采集器的存储器中同该芯 片测试通道对应的存储区间；最后通过后台处理将数字采集器存储器中的数据传入指定的数组变量中。2.根据去那里要求1所述的，其特征在于，设 置通道电子回路的参考电平发生器的参考高电平等于参考低电平。全文摘要本专利技术公开了一种，序列图形发生器产生图形值并写入图形真值表中，数据比较器根据图形值输出X结果到数据失效存储器，输出Y结果到数据失效存储本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种利用半导体测试仪读取芯片信息的方法，半导体测试仪包括主机、测试头、数字采集器；所述测试头包括通道电子回路、框架处理器、数据失效存储器、序列图形发生器、数据选择器；所述通道电子回路包括两个比较器及参考电平发生器，被测芯片输出的数据信号接所述两个比较器，分别同参考电平发生器输出的参考高电平及参考低电平进行比较，如果被测芯片输出的数据信号电平小于等于参考低电平，低参考电平比较器输出０，否则输出１，如果被测芯片输出的数据信号电平大于等于参考高电平，高参考电平比较器输出０，否则输出１，从而输出低参考电平比较被测芯片输出的数据和高参考电平比较被测芯片输出的数据两路信号到框架处理器中的数据比较器；所述框架处理器包括数据比较器，所述数据比较器根据序列图形发生器中的图形真值表中的图形值进行动作，当图形值为０、１或Ｘ时，所述数据比较器不工作；当图形值为Ｌ时，如果低参考电平比较器输出０，则芯片输出的数据测试通过，所述数据比较器输出芯片输出的数据测试通过信号，如果低参考电平比较器输出１，则芯片输出的数据测试失效，所述数据比较器将低参考电平比较器输出作取反处理后作为Ｘ结果输出至数据失效存储器，将高参考电平比较器输出直接作为Ｙ结果输出至数据失效存储器；当图形值为Ｈ时，如果高参考电平比较器输出０，则芯片输出的数据测试通过，所述数据比较器输出芯片输出的数据测试通过信号，如果高参考电平比较器输出１，则芯片输出的数据测试失效，所述数据比较器将高参考电平比较器输出作取反处理后作为Ｙ结果输出至数据失效存储器，将低参考电平比较器输出直接作为Ｘ结果输出至数据失效存储器；当图形值为Ｚ时，数据比较器会做如下处理：将高参考电平比较器输出作取反处理作为Ｙ结果输出至数据失效存储器，将低参考电平比较器输出作取反处理作为Ｘ结果输出至数据失效存储器；所述序列图形发生器，其中设置图形真值表，序列图形发生器能产生图形并将图形值写到所述图形真值表，序列图形发生器产生的图形的图形值包括０、１、Ｌ、Ｈ、Ｚ、Ｘ；所述数字采集器包括存储器及异或逻辑门；其特征在于：在读取被测芯片信息时，通过测试程序设置通道电子回路的参考电平发生器的参考高电平、参考低电平，通过通道电子回路的高参考电平比较器、低参考电平比较器两个比较器分别对被测芯片输出的数据信号电平比较，输出低参考电平比较被测芯片输出的数据和高参考电平比较被测芯片输出的数据两路信号到框架处理器中的数据比较器；控制序列图形发生器产生图形值并写入图形真值表中，从而所述数据比较器根据图形真值表中的图形值将低参考电平比较被测芯片输出的数据比较后输出Ｘ结果到数据失效存储器，将高参考电平比较被测芯片输出的数据比较后输出Ｙ结果到数据失效存储器；通过测试程序设置数据选择器，设定数字采集器各比特位与芯片测试通道的链接；再把数据失效存储器中的Ｘ结果、Ｙ结果值通过数字采集器中的异或逻辑门生成数字采集器的采集使能信号，用来控制将Ｈ结果或Ｌ结果值传入数字采集器的存储器中同该芯片测试通道对应的存储区间；最后通过后台处理将数字采集器存储器中的数据传入指定的数组变量中。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：朱渊源，辛吉升，桑浚之，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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