【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种制备浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的方法，其特征在于，该方法包括：选择至少两种前躯体在隧穿介质层上采用化学气相淀积方法生长俘获层；在生长俘获层的过程中，关闭其中一种或几种前躯体，仅保留含有纳米晶材料组分的前躯体进行淀积，以形成纳米晶材料过剩的内嵌薄层；形成内嵌薄层后，恢复原工艺条件，打开所有前躯体继续生长俘获层；生长完毕，快速热处理形成纳米晶与俘获层堆叠的复合俘获层结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘明，刘璟，王琴，龙世兵，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。